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集成的高性能模擬前端(AFE)組合功耗效率和優(yōu)化的處理性能

發(fā)布時(shí)間:2021/11/2 12:07:03 訪問次數(shù):465


基于Arm® Cortex®-M23內(nèi)核MCU的最新成員，GD32L233系列主流型低功耗微控制器。GD32L233系列MCU以多種運(yùn)行模式和休眠模式提供了優(yōu)異的功耗效率和優(yōu)化的處理性能。

與業(yè)界同類低功耗產(chǎn)品相比，具備更加豐富的外設(shè)資源和應(yīng)用靈活性，從而為系統(tǒng)級(jí)能源效率的持續(xù)提升開辟道路，廣泛適用于工業(yè)表計(jì)、小型消費(fèi)電子設(shè)備、便攜式醫(yī)療設(shè)備、電池管理系統(tǒng)、數(shù)據(jù)采集與傳輸?shù)鹊湫褪袌觥?/span>

GD32L233產(chǎn)品組合提供了4種封裝類型共10個(gè)型號(hào)選擇，目前已經(jīng)開始提供樣片和開發(fā)板卡。

制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品種類:MOSFET 技術(shù):Si 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-247-3 晶體管極性:N-Channel 通道數(shù)量:1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:600 V Id-連續(xù)漏極電流:40 A Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:65 mOhms Vgs - 柵極-源極電壓:- 25 V, + 25 V Vgs th-柵源極閾值電壓:3 V Qg-柵極電荷:70 nC 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C Pd-功率耗散:300 W 通道模式:Enhancement 封裝:Tube 商標(biāo):STMicroelectronics 配置:Single 下降時(shí)間:9.8 ns 正向跨導(dǎo) - 最小值:- 產(chǎn)品類型:MOSFET 上升時(shí)間:27 ns 工廠包裝數(shù)量600 子類別:MOSFETs 晶體管類型:1 N-Channel 典型關(guān)閉延遲時(shí)間:131 ns 典型接通延遲時(shí)間:27 ns 單位重量:6 g


AFG1022X任意波形函數(shù)發(fā)生器提供25MHz帶寬,2個(gè)輸出通道,1uHz到25MHz輸出頻率。

它把工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的超低功耗閃存MCU和集成的高性能模擬前端(AFE)組合在單一芯片上.新的MSP430FE42x系列產(chǎn)品,和第一代解決方案相比之,降低了系統(tǒng)芯片總數(shù)量80%,改善了性能,增加了可靠性,同時(shí)降低了成本,加速產(chǎn)品走向市場.

MSP430FE42x具有全編程的通信能力,這種專用的MCU特別適合用在開發(fā)有專門特性的電子能源電表,如自動(dòng)讀表(AMR),預(yù)付費(fèi)智能卡和多種比率的帳單.


(素材來源：ttic和eccn.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝）


基于Arm® Cortex®-M23內(nèi)核MCU的最新成員，GD32L233系列主流型低功耗微控制器。GD32L233系列MCU以多種運(yùn)行模式和休眠模式提供了優(yōu)異的功耗效率和優(yōu)化的處理性能。

與業(yè)界同類低功耗產(chǎn)品相比，具備更加豐富的外設(shè)資源和應(yīng)用靈活性，從而為系統(tǒng)級(jí)能源效率的持續(xù)提升開辟道路，廣泛適用于工業(yè)表計(jì)、小型消費(fèi)電子設(shè)備、便攜式醫(yī)療設(shè)備、電池管理系統(tǒng)、數(shù)據(jù)采集與傳輸?shù)鹊湫褪袌觥?/span>

GD32L233產(chǎn)品組合提供了4種封裝類型共10個(gè)型號(hào)選擇，目前已經(jīng)開始提供樣片和開發(fā)板卡。

制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品種類:MOSFET 技術(shù):Si 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-247-3 晶體管極性:N-Channel 通道數(shù)量:1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:600 V Id-連續(xù)漏極電流:40 A Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:65 mOhms Vgs - 柵極-源極電壓:- 25 V, + 25 V Vgs th-柵源極閾值電壓:3 V Qg-柵極電荷:70 nC 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C Pd-功率耗散:300 W 通道模式:Enhancement 封裝:Tube 商標(biāo):STMicroelectronics 配置:Single 下降時(shí)間:9.8 ns 正向跨導(dǎo) - 最小值:- 產(chǎn)品類型:MOSFET 上升時(shí)間:27 ns 工廠包裝數(shù)量600 子類別:MOSFETs 晶體管類型:1 N-Channel 典型關(guān)閉延遲時(shí)間:131 ns 典型接通延遲時(shí)間:27 ns 單位重量:6 g


AFG1022X任意波形函數(shù)發(fā)生器提供25MHz帶寬,2個(gè)輸出通道,1uHz到25MHz輸出頻率。

它把工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的超低功耗閃存MCU和集成的高性能模擬前端(AFE)組合在單一芯片上.新的MSP430FE42x系列產(chǎn)品,和第一代解決方案相比之,降低了系統(tǒng)芯片總數(shù)量80%,改善了性能,增加了可靠性,同時(shí)降低了成本,加速產(chǎn)品走向市場.

MSP430FE42x具有全編程的通信能力,這種專用的MCU特別適合用在開發(fā)有專門特性的電子能源電表,如自動(dòng)讀表(AMR),預(yù)付費(fèi)智能卡和多種比率的帳單.


(素材來源：ttic和eccn.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝）

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