絕緣層厚度方向上的電壓應(yīng)力超過(guò)了1KV/mm接入到互聯(lián)網(wǎng)
發(fā)布時(shí)間:2021/11/3 8:51:23 訪問(wèn)次數(shù):536
下一代的開(kāi)發(fā)平臺(tái)將集中在BCM2132單片EDGE/GPRS/GSM多媒體處理器,它能在GSM網(wǎng)絡(luò)上以大于236kbps的速率傳輸高速多時(shí)隙12類(lèi)的數(shù)據(jù).
這種經(jīng)已證明的EDGE平臺(tái)將會(huì)使制造商能開(kāi)發(fā)出下一代移動(dòng)通信設(shè)備,以比現(xiàn)有的GSM和GPRS無(wú)線設(shè)備快四倍的數(shù)據(jù)速率接入到互聯(lián)網(wǎng).
SIM,PCMCIA和IrDA兼容,有極低的功耗,I/O電壓3V,核電壓2V,用于數(shù)據(jù)/傳真/測(cè)試的三個(gè)UART串行口,BCM2121的封裝是200針BGA封裝(13x13mm).
這種移動(dòng)通信平臺(tái)有協(xié)議堆棧,靈活的軟件,應(yīng)用程序接口,應(yīng)用允許器和所有層1/DSP軟件的參考設(shè)計(jì).
三相480V變頻器為例,交流輸入線電壓為480Vrms,則其母線電壓平均值為480*1.35=648Vdc,也就是進(jìn)入輔助電源SPS的工作電壓就是648V,這個(gè)電壓值已經(jīng)非常接近750V這個(gè)閾值.
750V閾值電壓是在整機(jī)實(shí)際運(yùn)行過(guò)程中,實(shí)際測(cè)試得到的一次側(cè)高壓端與SELV電路之間的重復(fù)峰值電壓,用高壓差分探頭分別勾取兩邊的監(jiān)測(cè)點(diǎn),若此電壓超過(guò)750V,同時(shí),在絕緣層厚度方向上的電壓應(yīng)力超過(guò)了1KV/mm,則局部放電測(cè)試認(rèn)證必做。
(素材來(lái)源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)
下一代的開(kāi)發(fā)平臺(tái)將集中在BCM2132單片EDGE/GPRS/GSM多媒體處理器,它能在GSM網(wǎng)絡(luò)上以大于236kbps的速率傳輸高速多時(shí)隙12類(lèi)的數(shù)據(jù).
這種經(jīng)已證明的EDGE平臺(tái)將會(huì)使制造商能開(kāi)發(fā)出下一代移動(dòng)通信設(shè)備,以比現(xiàn)有的GSM和GPRS無(wú)線設(shè)備快四倍的數(shù)據(jù)速率接入到互聯(lián)網(wǎng).
SIM,PCMCIA和IrDA兼容,有極低的功耗,I/O電壓3V,核電壓2V,用于數(shù)據(jù)/傳真/測(cè)試的三個(gè)UART串行口,BCM2121的封裝是200針BGA封裝(13x13mm).
這種移動(dòng)通信平臺(tái)有協(xié)議堆棧,靈活的軟件,應(yīng)用程序接口,應(yīng)用允許器和所有層1/DSP軟件的參考設(shè)計(jì).
三相480V變頻器為例,交流輸入線電壓為480Vrms,則其母線電壓平均值為480*1.35=648Vdc,也就是進(jìn)入輔助電源SPS的工作電壓就是648V,這個(gè)電壓值已經(jīng)非常接近750V這個(gè)閾值.
750V閾值電壓是在整機(jī)實(shí)際運(yùn)行過(guò)程中,實(shí)際測(cè)試得到的一次側(cè)高壓端與SELV電路之間的重復(fù)峰值電壓,用高壓差分探頭分別勾取兩邊的監(jiān)測(cè)點(diǎn),若此電壓超過(guò)750V,同時(shí),在絕緣層厚度方向上的電壓應(yīng)力超過(guò)了1KV/mm,則局部放電測(cè)試認(rèn)證必做。
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