NFAM5065L4B是全集成逆變器功率模塊,包括了單獨的高邊柵極驅(qū)動器,LVIC,六個IGBT和一個溫度傳感器(TVS),適用腦于驅(qū)動永磁同步(PMSM)馬達(dá),無刷DC(BLDC)馬達(dá)和交流異步馬達(dá).

IGBT可配置成三相橋式,具有單獨發(fā)射極連接以用于選擇控制算法有最大靈活性低位腿.

功率級具有欠壓鎖住保護(hù)(UVP),而所提供的內(nèi)部的升壓二極管用于高邊柵極升壓驅(qū)動.器件具有三相650V 50A IGBT模塊和單獨的驅(qū)動器.器件具有UL1557 認(rèn)證(文件No.339285).器件是無鉛和RoHS兼容的.主要用在工業(yè)驅(qū)動,工業(yè)泵,工業(yè)風(fēng)扇和工業(yè)自動化.

制造商:Texas Instruments產(chǎn)品種類:MOSFETRoHS: 詳細(xì)信息技術(shù):Si安裝風(fēng)格:SMD/SMT封裝 / 箱體:VSONP-8晶體管極性:N-Channel通道數(shù)量:1 ChannelVds-漏源極擊穿電壓:40 VId-連續(xù)漏極電流:121 ARds On-漏源導(dǎo)通電阻:4.3 mOhmsVgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 VVgs th-柵源極閾值電壓:1.5 VQg-柵極電荷:27 nC最小工作溫度:- 55 C最大工作溫度:+ 150 CPd-功率耗散:120 W通道模式:Enhancement商標(biāo)名:NexFET封裝:Reel封裝:Cut Tape封裝:MouseReel商標(biāo):Texas Instruments配置:Single下降時間:2.6 ns正向跨導(dǎo) - 最小值:100 S高度:1 mm長度:6 mm產(chǎn)品類型:MOSFET上升時間:8.8 ns系列:CSD18503Q5A工廠包裝數(shù)量:2500子類別:MOSFETs晶體管類型:1 N-Channel典型關(guān)閉延遲時間:15 ns典型接通延遲時間:4.5 ns寬度:4.9 mm單位重量:240 mg

全新USB PD充電器參考設(shè)計，它性能優(yōu)異且元件數(shù)極少。

這款USB PD充電器設(shè)計的效率水平超過93%，這已包括輸入級、PFC級和反激級。它的空載性能也非常出色，在230VAC下所需的空載輸入功率低于40mW。

該設(shè)計的BOM元件數(shù)約為傳統(tǒng)設(shè)計的一半，可節(jié)省空間并縮短設(shè)計時間。對于批量生產(chǎn)超薄、超緊湊充電器的原裝及非原裝廠商來說，可大大簡化其元件采購。

DER-937報告包括電源規(guī)格、電路原理圖、PCB布局、物料清單、詳細(xì)的磁芯規(guī)格以及性能數(shù)據(jù)。