一個(gè)n位電阻串DAC需要2n個(gè)電阻器，因此高分辨率電阻串 DAC 通常需要大型 IC 封裝。這就意味著 16位DAC需要65,536個(gè)電阻器，18位需要262,144個(gè),而 20 位則需要 1，048，576 個(gè)電阻器,級(jí)聯(lián)分段技術(shù)有時(shí)可用來減少所需的電阻器數(shù)量，但對(duì)于我們的用途而言，我們將不考慮分段技術(shù)，因?yàn)榧词箤?shí)施了分段，架構(gòu)趨勢(shì)在應(yīng)用層面也更傾向于實(shí)用。

每個(gè)電阻器值的精確度可直接決定線性度。如果電阻串中任何一個(gè)電阻器的值不合適，我們就會(huì)在代碼轉(zhuǎn)換時(shí)發(fā)現(xiàn)相對(duì)于該電阻器的不良微分非線性度 （DNL）。此外，所有后續(xù)代碼的積分非線性度 （INL） 也會(huì)因?yàn)椴黄ヅ涠a(chǎn)生失調(diào)。

按照途徑區(qū)分，高頻電源干擾發(fā)生特點(diǎn)可分為傳導(dǎo)干擾和輻射干擾，傳導(dǎo)干擾又可分為共模干擾和差摸干擾。輻射干擾主要為電磁輻射。

差模信號(hào)由高頻工作電流、數(shù)字電路工作電流引起，可由旁路電容濾除；共模信號(hào)由高頻開關(guān)電壓經(jīng)雜散電容傳播，可由共模濾波器濾除；電磁輻射經(jīng)空間傳播，可由金屬屏蔽、破壞引出線天線效應(yīng)濾除。

GDDR一直以來是針對(duì)圖形顯示卡所優(yōu)化的一種DDR內(nèi)存。因?yàn)轱@卡處理圖像數(shù)據(jù)，特別是3D圖像數(shù)據(jù)對(duì)顯存帶寬的要求更高，GPU和GDDR之間的數(shù)據(jù)交換非常頻繁。而DDR內(nèi)存專注于與CPU進(jìn)行數(shù)據(jù)交換的效率，因此對(duì)于整體存取性能、低延遲更為看重，所以在CPU和傳統(tǒng)的FPGA中基本都是用DDR4。

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