350W商用和工業(yè)照明的離線LED驅(qū)動(dòng)器和高密度AC/DC電源
發(fā)布時(shí)間:2021/12/17 18:13:57 訪問(wèn)次數(shù):663
傳輸門 (TRG) 以外的像素晶體管,包括復(fù)位晶體管 (RST)、選擇晶體管 (SEL) 和放大晶體管 (AMP),都處于無(wú)光電二極管分布這一層,所以放大晶體管(AMP)的尺寸可以增加。
通過(guò)增加放大晶體管尺寸,索尼成功地大幅降低了夜間和其他昏暗場(chǎng)景下圖像容易產(chǎn)生的噪點(diǎn)問(wèn)題。
這項(xiàng)新技術(shù)使動(dòng)態(tài)范圍擴(kuò)大并降低了噪點(diǎn),能避免在明亮和昏暗照明相結(jié)合的環(huán)境中(如背光環(huán)境)出現(xiàn)曝光不足和曝光過(guò)度的問(wèn)題,甚至在低光(如室內(nèi)、夜間)環(huán)境中也能得到高質(zhì)量、低噪點(diǎn)的圖像。
NJG1129MD7具下述特性:
借助于旁通模式,在強(qiáng)磁場(chǎng)下也能穩(wěn)定接受信號(hào)。
低噪聲(NF=1.4dB,典型值)特性有助于提高接受信號(hào)的靈敏度。
利用GaAs HEMT工藝達(dá)到了高線性
(P-1dB(IN)=-6.0dBm;IP3=+1.0dBm,典型值)
內(nèi)置ESD保護(hù)電路,對(duì)ESD具有高耐壓特性。

采用小型DSO-16封裝.包括特性包括輸入低電壓保護(hù),PFC總線過(guò)壓保護(hù),PFC過(guò)流保護(hù),輸出過(guò)壓保護(hù)(OVP),輸出過(guò)流/短路保護(hù)(OCP),輸出過(guò)功率/過(guò)負(fù)載保護(hù)(OPP),電容模式保護(hù)和外部超溫保護(hù)(OTP).主要用在高達(dá)350W商用和工業(yè)照明的離線LED驅(qū)動(dòng)器和高密度AC/DC電源.
(素材來(lái)源:eccn和21ic.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)
傳輸門 (TRG) 以外的像素晶體管,包括復(fù)位晶體管 (RST)、選擇晶體管 (SEL) 和放大晶體管 (AMP),都處于無(wú)光電二極管分布這一層,所以放大晶體管(AMP)的尺寸可以增加。
通過(guò)增加放大晶體管尺寸,索尼成功地大幅降低了夜間和其他昏暗場(chǎng)景下圖像容易產(chǎn)生的噪點(diǎn)問(wèn)題。
這項(xiàng)新技術(shù)使動(dòng)態(tài)范圍擴(kuò)大并降低了噪點(diǎn),能避免在明亮和昏暗照明相結(jié)合的環(huán)境中(如背光環(huán)境)出現(xiàn)曝光不足和曝光過(guò)度的問(wèn)題,甚至在低光(如室內(nèi)、夜間)環(huán)境中也能得到高質(zhì)量、低噪點(diǎn)的圖像。
NJG1129MD7具下述特性:
借助于旁通模式,在強(qiáng)磁場(chǎng)下也能穩(wěn)定接受信號(hào)。
低噪聲(NF=1.4dB,典型值)特性有助于提高接受信號(hào)的靈敏度。
利用GaAs HEMT工藝達(dá)到了高線性
(P-1dB(IN)=-6.0dBm;IP3=+1.0dBm,典型值)
內(nèi)置ESD保護(hù)電路,對(duì)ESD具有高耐壓特性。

采用小型DSO-16封裝.包括特性包括輸入低電壓保護(hù),PFC總線過(guò)壓保護(hù),PFC過(guò)流保護(hù),輸出過(guò)壓保護(hù)(OVP),輸出過(guò)流/短路保護(hù)(OCP),輸出過(guò)功率/過(guò)負(fù)載保護(hù)(OPP),電容模式保護(hù)和外部超溫保護(hù)(OTP).主要用在高達(dá)350W商用和工業(yè)照明的離線LED驅(qū)動(dòng)器和高密度AC/DC電源.
(素材來(lái)源:eccn和21ic.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)
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