APB總線的各類增強(qiáng)型I/O緊湊型1×1.5 WL-CSP封裝
發(fā)布時(shí)間:2021/12/20 23:12:10 訪問次數(shù):254
GD32L233系列MCU的最高主頻為64MHz，集成了64KB到256KB的嵌入式eFlash和16KB到32KB的SRAM，以及連接到兩條APB總線的各類增強(qiáng)型I/O和外設(shè)資源。
芯片持續(xù)采用行業(yè)領(lǐng)先的Arm® Cortex®-M23內(nèi)核,通過精簡(jiǎn)強(qiáng)大的Armv8-M指令集和全面優(yōu)化的總線設(shè)計(jì)帶來(lái)高效處理能力,包含獨(dú)立的乘法器和除法器,適用于低功耗、高效節(jié)能的深度嵌入式應(yīng)用場(chǎng)景。
GD32L233系列MCU實(shí)現(xiàn)了優(yōu)異的功耗效率，深度睡眠(Deep-sleep)電流降至2uA，喚醒時(shí)間低于10uS，待機(jī)(Standby)電流最低僅有0.4uA。
MLX90510 提供差分正弦和余弦模擬輸出，并基于數(shù)字架構(gòu)。其中包含 Melexis 專利的跟蹤環(huán)技術(shù)。
負(fù)載開關(guān)采用緊湊型1×1.5 WL-CSP封裝，具有穩(wěn)健的ESD保護(hù)功能(5.5kV)，能夠解決便攜式設(shè)計(jì)的空間和ESD保護(hù)問題。
當(dāng)W1的共模電壓從+3 V掃描至-3 V時(shí)，電阻偏置差分對(duì)和電流源偏置差分對(duì)的差分輸出。當(dāng)柵極上的正電壓接近漏極電壓，晶體管從飽和區(qū)進(jìn)入三極管（阻性）區(qū)域時(shí)，增益受到的影響最大。
這可以通過觀察相對(duì)于地為單端（即將2-輸入接地）的漏極電壓來(lái)監(jiān)測(cè)。應(yīng)調(diào)整發(fā)生器的幅度，直到輸出端信號(hào)就要開始削波/折疊。
(素材來(lái)源：eccn和21ic.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝）
GD32L233系列MCU的最高主頻為64MHz，集成了64KB到256KB的嵌入式eFlash和16KB到32KB的SRAM，以及連接到兩條APB總線的各類增強(qiáng)型I/O和外設(shè)資源。
芯片持續(xù)采用行業(yè)領(lǐng)先的Arm® Cortex®-M23內(nèi)核,通過精簡(jiǎn)強(qiáng)大的Armv8-M指令集和全面優(yōu)化的總線設(shè)計(jì)帶來(lái)高效處理能力,包含獨(dú)立的乘法器和除法器,適用于低功耗、高效節(jié)能的深度嵌入式應(yīng)用場(chǎng)景。
GD32L233系列MCU實(shí)現(xiàn)了優(yōu)異的功耗效率，深度睡眠(Deep-sleep)電流降至2uA，喚醒時(shí)間低于10uS，待機(jī)(Standby)電流最低僅有0.4uA。
MLX90510 提供差分正弦和余弦模擬輸出，并基于數(shù)字架構(gòu)。其中包含 Melexis 專利的跟蹤環(huán)技術(shù)。
負(fù)載開關(guān)采用緊湊型1×1.5 WL-CSP封裝，具有穩(wěn)健的ESD保護(hù)功能(5.5kV)，能夠解決便攜式設(shè)計(jì)的空間和ESD保護(hù)問題。
當(dāng)W1的共模電壓從+3 V掃描至-3 V時(shí)，電阻偏置差分對(duì)和電流源偏置差分對(duì)的差分輸出。當(dāng)柵極上的正電壓接近漏極電壓，晶體管從飽和區(qū)進(jìn)入三極管（阻性）區(qū)域時(shí)，增益受到的影響最大。
這可以通過觀察相對(duì)于地為單端（即將2-輸入接地）的漏極電壓來(lái)監(jiān)測(cè)。應(yīng)調(diào)整發(fā)生器的幅度，直到輸出端信號(hào)就要開始削波/折疊。
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