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Microchip全線LCD驅(qū)動(dòng)單片機(jī)系列提供簡便的移植路徑

發(fā)布時(shí)間:2021/12/30 22:33:23 訪問次數(shù):223

新產(chǎn)品S-50和S-56系列,擴(kuò)充其著名的工業(yè)級(jí)SD存儲(chǔ)卡產(chǎn)品線。這一全新產(chǎn)品基于工業(yè)級(jí)3D NAND技術(shù),將閃存芯片與功能強(qiáng)大的控制器和高端固件集成起來,以在穩(wěn)健的外殼中提供最高的可靠性。該產(chǎn)品在Swissbit自己的經(jīng)過IATF 16949認(rèn)證的工廠中制造。

全新的S-5x系列包括價(jià)格極具競爭力的S-50 SD和S-50u micro SD存儲(chǔ)卡以及通過3D pSLC模式將耐用性提高了十倍的高耐用性S-56和S-56u。S-5x全系列都支持-40°C至85°C的溫度范圍。

全新的Swissbit S-5x經(jīng)過優(yōu)化,可以在讀寫周期之間承受整個(gè)溫度范圍內(nèi)溫度動(dòng)態(tài)變化。

納瓦(nanoWatt)技術(shù)的PIC18F87J90 8位LCD直接驅(qū)動(dòng)單片機(jī)(MCU)。這些64引腳和80引腳封裝的新器件,擴(kuò)展了Microchip LCD MCU系列的存儲(chǔ)容量,并提供了更豐富的外設(shè)。

新器件具備64至128 KB的閃存及4 KB的RAM內(nèi)存,是業(yè)界首款既備有實(shí)時(shí)時(shí)鐘和日歷(RTCC),又包含容性觸摸傳感或精確時(shí)間測量所需的充電時(shí)間測量單元(CTMU)外設(shè)的8位單片機(jī)。

PIC18F87J90與Microchip PIC18F85J90的引腳兼容,為Microchip全線LCD驅(qū)動(dòng)單片機(jī)系列提供簡便的移植路徑,同時(shí)把應(yīng)用升級(jí)化繁為簡。

BD71631QWZ僅需改變外置電阻即可在2.0V~4.7V的充電電壓范圍內(nèi)輕松設(shè)置,因此不僅支持單節(jié)鋰離子電池的充電,還支持需要低電壓充電的全固態(tài)和半固態(tài)等新型二次電池的充電,應(yīng)用范圍更廣。

BD71631QWZ是采用ROHM自有封裝技術(shù)的1.8mm×2.4mm×0.4mm薄小型封裝。與普通產(chǎn)品(3.0mm×3.0mm×1.0mm)相比,安裝面積減少了約50%,同時(shí),厚度減少了約60%。

通過使其厚度與周邊部件的厚度相同,有助于設(shè)備的小型化和薄型化。尤其適用于搭載片狀超薄二次電池的可穿戴設(shè)備和小而薄的物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備。


(素材來源:eccn和21ic.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)

新產(chǎn)品S-50和S-56系列,擴(kuò)充其著名的工業(yè)級(jí)SD存儲(chǔ)卡產(chǎn)品線。這一全新產(chǎn)品基于工業(yè)級(jí)3D NAND技術(shù),將閃存芯片與功能強(qiáng)大的控制器和高端固件集成起來,以在穩(wěn)健的外殼中提供最高的可靠性。該產(chǎn)品在Swissbit自己的經(jīng)過IATF 16949認(rèn)證的工廠中制造。

全新的S-5x系列包括價(jià)格極具競爭力的S-50 SD和S-50u micro SD存儲(chǔ)卡以及通過3D pSLC模式將耐用性提高了十倍的高耐用性S-56和S-56u。S-5x全系列都支持-40°C至85°C的溫度范圍。

全新的Swissbit S-5x經(jīng)過優(yōu)化,可以在讀寫周期之間承受整個(gè)溫度范圍內(nèi)溫度動(dòng)態(tài)變化。

納瓦(nanoWatt)技術(shù)的PIC18F87J90 8位LCD直接驅(qū)動(dòng)單片機(jī)(MCU)。這些64引腳和80引腳封裝的新器件,擴(kuò)展了Microchip LCD MCU系列的存儲(chǔ)容量,并提供了更豐富的外設(shè)。

新器件具備64至128 KB的閃存及4 KB的RAM內(nèi)存,是業(yè)界首款既備有實(shí)時(shí)時(shí)鐘和日歷(RTCC),又包含容性觸摸傳感或精確時(shí)間測量所需的充電時(shí)間測量單元(CTMU)外設(shè)的8位單片機(jī)。

PIC18F87J90與Microchip PIC18F85J90的引腳兼容,為Microchip全線LCD驅(qū)動(dòng)單片機(jī)系列提供簡便的移植路徑,同時(shí)把應(yīng)用升級(jí)化繁為簡。

BD71631QWZ僅需改變外置電阻即可在2.0V~4.7V的充電電壓范圍內(nèi)輕松設(shè)置,因此不僅支持單節(jié)鋰離子電池的充電,還支持需要低電壓充電的全固態(tài)和半固態(tài)等新型二次電池的充電,應(yīng)用范圍更廣。

BD71631QWZ是采用ROHM自有封裝技術(shù)的1.8mm×2.4mm×0.4mm薄小型封裝。與普通產(chǎn)品(3.0mm×3.0mm×1.0mm)相比,安裝面積減少了約50%,同時(shí),厚度減少了約60%。

通過使其厚度與周邊部件的厚度相同,有助于設(shè)備的小型化和薄型化。尤其適用于搭載片狀超薄二次電池的可穿戴設(shè)備和小而薄的物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備。


(素材來源:eccn和21ic.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)

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