基于玻爾茲曼方程理論,研究應(yīng)變對 GaN 導(dǎo)帶的影響，并通過計算得到了應(yīng)變與有效質(zhì)量的變化關(guān)系。

在弛豫時間近似的情況下，考慮到各種可能的散射機制，重點研究了雙軸應(yīng)變下有效質(zhì)量對 AlGaN/GaN 高速電子遷移率晶體管二維電子氣遷移率的影響。

利用 materials studio (MS) 中的 CASTEP 模塊，同時基于密度泛函理論用局部密度近似，可以完成雙軸應(yīng)變下氮化鎵能帶結(jié)構(gòu)的系統(tǒng)研究。

對于氮化鎵能帶結(jié)構(gòu)的計算（空間群為186），最好的晶格常數(shù)實驗值是 a=3.189 Å，c=5.185 Å。

新型降壓轉(zhuǎn)換器系列的峰值效率和平均效率分別達97%和94%，可延長任何應(yīng)用中的電池壽命。

此外，如果無需供電，例如移動電話的飛行模式下,AS1332-34可提供僅需100nA電流的關(guān)斷模式及輸出斷開功能。

AS1334包括軟啟動和電源就緒指示其它功能,安全功能則包括電流過載和熱關(guān)斷保護。

AS1332/33采用微型WL-CSP、8焊點封裝，而AS1334采用TDFN(3x3)-10封裝，適用于-40度至+85度工業(yè)級溫度范圍。

狄拉克分布函數(shù)模擬了 GaN-AlGaN 異質(zhì)結(jié)構(gòu)中縱向應(yīng)變對二維電子氣密度的影響。

眾所周知，平均電導(dǎo)率有效質(zhì)量和谷內(nèi)（間）散射可以調(diào)制電子遷移率，由于 GaN 是直接禁帶半導(dǎo)體，這意味著在 Γ點只有一個導(dǎo)帶底，因此，在應(yīng)變下沒有電子再生而導(dǎo)致能帶分裂是不存在的，這樣，谷間散射對遷移率的影響就可以忽略不計了。

而通過能帶彎曲產(chǎn)生的有效質(zhì)量的改變就成了引起二維電子氣遷移率變化的主要因素。ANADIGICS的24V混合線路放大器結(jié)合業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的線性水平,優(yōu)秀的回波損耗以及高靜電放電耐受性。

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