垂直傳輸場(chǎng)效應(yīng)晶體管(VTFET)芯片設(shè)計(jì)技術(shù)預(yù)估將成長25%
發(fā)布時(shí)間:2022/1/16 18:38:03 訪問次數(shù):110
BCC Research 的最新調(diào)查報(bào)告也指出,全球家用醫(yī)療設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模將從2007年的146億美元,至2012年時(shí)成長到210億美元,年復(fù)合成長率 (CAGR) 將達(dá)到6.8%。輔助復(fù)健、治療裝置、監(jiān)視/傳感器與遙測(cè)裝置等,成為家用電子醫(yī)療市場(chǎng)的大頭;而有益健康的家用醫(yī)療裝置,預(yù)估更將大舉成長25%。
新一代IP電話解決方案單片系統(tǒng)處理器TNETV1050,它基于適用在IP電話應(yīng)用中集成度最高的處理器。
這種全面片上系統(tǒng)以其卓越的架構(gòu)、功能強(qiáng)大的處理技術(shù)以及更多的可擴(kuò)展性選擇,使產(chǎn)品設(shè)計(jì)人員及制造商能夠快速創(chuàng)建具有獨(dú)特性與創(chuàng)新性的IP電話產(chǎn)品。
企業(yè)選擇RISC-V架構(gòu)、選擇加入RISC-V International基金會(huì)的重要原因。
類似于5G標(biāo)準(zhǔn)委員會(huì)的運(yùn)營模式,RISC-V國際基金會(huì)成員需要各自貢獻(xiàn)基于RISC-V指令集的CPU架構(gòu),共同為RISC-V標(biāo)準(zhǔn)建言獻(xiàn)策,哪家企業(yè)提出的解決方案更優(yōu),就更容易被采納為RISC-V標(biāo)準(zhǔn)方案.而各家公司往基金會(huì)中的投入,也將服務(wù)于RISC-V方案研發(fā)。
指令集開源,各家開發(fā)的指令集自愿開源,各芯片設(shè)計(jì)企業(yè)各自依據(jù)RISC-V標(biāo)準(zhǔn)指令集開發(fā)適合自己的指令集,或者尋求RISC-V IP供應(yīng)商協(xié)助。核心指令集的開源,為芯片設(shè)計(jì)公司保證自身供應(yīng)鏈自主可控提供了可能性。共建共享的機(jī)制也給RISC-V架構(gòu)的快速更新迭代提供了機(jī)會(huì)。
三星作為臺(tái)積電最強(qiáng)有力的對(duì)手,近幾年的發(fā)展速度飛快,并且多次公開表示要在芯片加工領(lǐng)域與臺(tái)積電展開競(jìng)爭(zhēng),全球敢這么叫板臺(tái)積電的也就只有三星了。
在IEDM 2021 國際電子元件大會(huì)上,三星更是攜手IBM宣布了一種名為垂直傳輸場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (VTFET) 的芯片設(shè)計(jì)技術(shù),并表示該技術(shù)突破了目前1納米工藝設(shè)計(jì)的瓶頸。
2021年10月,三星宣布3納米芯片已經(jīng)開始成功流片,將于2022年上半年開始生產(chǎn),2納米芯片將于2025年量產(chǎn),并且3納米工藝就將會(huì)采用GAA工藝,2納米技術(shù)將會(huì)持續(xù)采用GAA工藝,在3納米進(jìn)軍2納米工藝的技術(shù)節(jié)點(diǎn)上將會(huì)節(jié)省一些步驟。
(素材來源:轉(zhuǎn)載自網(wǎng)絡(luò),如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除,特別感謝)
BCC Research 的最新調(diào)查報(bào)告也指出,全球家用醫(yī)療設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模將從2007年的146億美元,至2012年時(shí)成長到210億美元,年復(fù)合成長率 (CAGR) 將達(dá)到6.8%。輔助復(fù)健、治療裝置、監(jiān)視/傳感器與遙測(cè)裝置等,成為家用電子醫(yī)療市場(chǎng)的大頭;而有益健康的家用醫(yī)療裝置,預(yù)估更將大舉成長25%。
新一代IP電話解決方案單片系統(tǒng)處理器TNETV1050,它基于適用在IP電話應(yīng)用中集成度最高的處理器。
這種全面片上系統(tǒng)以其卓越的架構(gòu)、功能強(qiáng)大的處理技術(shù)以及更多的可擴(kuò)展性選擇,使產(chǎn)品設(shè)計(jì)人員及制造商能夠快速創(chuàng)建具有獨(dú)特性與創(chuàng)新性的IP電話產(chǎn)品。
企業(yè)選擇RISC-V架構(gòu)、選擇加入RISC-V International基金會(huì)的重要原因。
類似于5G標(biāo)準(zhǔn)委員會(huì)的運(yùn)營模式,RISC-V國際基金會(huì)成員需要各自貢獻(xiàn)基于RISC-V指令集的CPU架構(gòu),共同為RISC-V標(biāo)準(zhǔn)建言獻(xiàn)策,哪家企業(yè)提出的解決方案更優(yōu),就更容易被采納為RISC-V標(biāo)準(zhǔn)方案.而各家公司往基金會(huì)中的投入,也將服務(wù)于RISC-V方案研發(fā)。
指令集開源,各家開發(fā)的指令集自愿開源,各芯片設(shè)計(jì)企業(yè)各自依據(jù)RISC-V標(biāo)準(zhǔn)指令集開發(fā)適合自己的指令集,或者尋求RISC-V IP供應(yīng)商協(xié)助。核心指令集的開源,為芯片設(shè)計(jì)公司保證自身供應(yīng)鏈自主可控提供了可能性。共建共享的機(jī)制也給RISC-V架構(gòu)的快速更新迭代提供了機(jī)會(huì)。
三星作為臺(tái)積電最強(qiáng)有力的對(duì)手,近幾年的發(fā)展速度飛快,并且多次公開表示要在芯片加工領(lǐng)域與臺(tái)積電展開競(jìng)爭(zhēng),全球敢這么叫板臺(tái)積電的也就只有三星了。
在IEDM 2021 國際電子元件大會(huì)上,三星更是攜手IBM宣布了一種名為垂直傳輸場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (VTFET) 的芯片設(shè)計(jì)技術(shù),并表示該技術(shù)突破了目前1納米工藝設(shè)計(jì)的瓶頸。
2021年10月,三星宣布3納米芯片已經(jīng)開始成功流片,將于2022年上半年開始生產(chǎn),2納米芯片將于2025年量產(chǎn),并且3納米工藝就將會(huì)采用GAA工藝,2納米技術(shù)將會(huì)持續(xù)采用GAA工藝,在3納米進(jìn)軍2納米工藝的技術(shù)節(jié)點(diǎn)上將會(huì)節(jié)省一些步驟。
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