觸頭磨損由于電弧高溫使觸頭金屬氣化蒸發(fā)負(fù)載的用電
發(fā)布時(shí)間:2022/3/16 12:34:42 訪問次數(shù):828
有EP請(qǐng)求信號(hào)GCS接通GC.s斷開EP,請(qǐng)求信通斷或與發(fā)電機(jī)欠速無Us信號(hào),GCR跳刀GCR閉合,單臺(tái)發(fā)電機(jī)GCB的控制邏輯.
多臺(tái)發(fā)電機(jī)單獨(dú)供電的控制及轉(zhuǎn)換,多臺(tái)發(fā)電機(jī)單獨(dú)供電時(shí),正常情況下每臺(tái)發(fā)電機(jī)分別向各自的匯流條供電,與單臺(tái)電源系統(tǒng)的工作情況類似。在電源發(fā)生故障的情況下,發(fā)電機(jī)和匯流條之間的供電關(guān)系可以互相轉(zhuǎn)換,以保證機(jī)上重要負(fù)載的用電。
單獨(dú)供電控制關(guān)系,兩臺(tái)發(fā)電機(jī)單獨(dú)供電簡(jiǎn)化原理圖,雖然各機(jī)型的具體線路不同,但其基本關(guān)系是類似的,供電關(guān)系適用于具有兩臺(tái)發(fā)電機(jī)機(jī)型,如MD-82、B737、B757、B767等機(jī)型。
熔焊現(xiàn)象通常是觸頭容量過小,操作過頻繁、觸頭彈簧損壞、初壓力減小等原因造成的。
觸頭熔焊的處理:損壞嚴(yán)重的觸頭應(yīng)及時(shí)更換。
NAND Flash閃存芯片又分為SLC(Single-Level Cell,單層單元)、MLC(Multi-Level Cell,雙層單元)、TLC(Trinary-Level Cell,三層單元)、QLC(Quad-Level Cell,四層單元)這四種規(guī)格。
觸頭磨損由于電弧高溫使觸頭金屬氣化蒸發(fā),加上機(jī)械磨損,使觸頭的厚度越來越薄,這屬正常磨損。
銜鐵不吸合或銜鐵吸合后不釋放線圈通電后銜鐵不吸合,可能是電源電壓過低、線圈內(nèi)部或引出線部分?jǐn)嗑;也可能是銜鐵機(jī)構(gòu)可動(dòng)部分卡死等造成的。
銜鐵吸合后不釋放的原因有:剩磁作用或者是鐵芯端面的污垢使動(dòng)、靜鐵芯黏附在一起。直流電器的非磁性墊片損壞,使銜鐵閉合后最小氣隙變小,也會(huì)導(dǎo)致銜鐵不能順利釋放。
有EP請(qǐng)求信號(hào)GCS接通GC.s斷開EP,請(qǐng)求信通斷或與發(fā)電機(jī)欠速無Us信號(hào),GCR跳刀GCR閉合,單臺(tái)發(fā)電機(jī)GCB的控制邏輯.
多臺(tái)發(fā)電機(jī)單獨(dú)供電的控制及轉(zhuǎn)換,多臺(tái)發(fā)電機(jī)單獨(dú)供電時(shí),正常情況下每臺(tái)發(fā)電機(jī)分別向各自的匯流條供電,與單臺(tái)電源系統(tǒng)的工作情況類似。在電源發(fā)生故障的情況下,發(fā)電機(jī)和匯流條之間的供電關(guān)系可以互相轉(zhuǎn)換,以保證機(jī)上重要負(fù)載的用電。
單獨(dú)供電控制關(guān)系,兩臺(tái)發(fā)電機(jī)單獨(dú)供電簡(jiǎn)化原理圖,雖然各機(jī)型的具體線路不同,但其基本關(guān)系是類似的,供電關(guān)系適用于具有兩臺(tái)發(fā)電機(jī)機(jī)型,如MD-82、B737、B757、B767等機(jī)型。
熔焊現(xiàn)象通常是觸頭容量過小,操作過頻繁、觸頭彈簧損壞、初壓力減小等原因造成的。
觸頭熔焊的處理:損壞嚴(yán)重的觸頭應(yīng)及時(shí)更換。
NAND Flash閃存芯片又分為SLC(Single-Level Cell,單層單元)、MLC(Multi-Level Cell,雙層單元)、TLC(Trinary-Level Cell,三層單元)、QLC(Quad-Level Cell,四層單元)這四種規(guī)格。
觸頭磨損由于電弧高溫使觸頭金屬氣化蒸發(fā),加上機(jī)械磨損,使觸頭的厚度越來越薄,這屬正常磨損。
銜鐵不吸合或銜鐵吸合后不釋放線圈通電后銜鐵不吸合,可能是電源電壓過低、線圈內(nèi)部或引出線部分?jǐn)嗑;也可能是銜鐵機(jī)構(gòu)可動(dòng)部分卡死等造成的。
銜鐵吸合后不釋放的原因有:剩磁作用或者是鐵芯端面的污垢使動(dòng)、靜鐵芯黏附在一起。直流電器的非磁性墊片損壞,使銜鐵閉合后最小氣隙變小,也會(huì)導(dǎo)致銜鐵不能順利釋放。
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