110μA的低待機(jī)模式電流有浪涌電流流入電容器C1和C2
發(fā)布時(shí)間:2023/1/25 23:35:19 訪問(wèn)次數(shù):55
2.4GHz頻段的Wi-Fi、藍(lán)牙和Zigbee等短距互連技術(shù)目前是市場(chǎng)的主流,有分析顯示基于此類無(wú)線協(xié)議的連接數(shù)量占比在70%以上。
這幾個(gè)無(wú)線技術(shù)屬于開(kāi)放的技術(shù)標(biāo)準(zhǔn),市場(chǎng)滲透率高,生態(tài)比較完善,這都是先天的優(yōu)勢(shì).
在這個(gè)頻率范圍內(nèi),有許多可用的無(wú)需授權(quán)或需要授權(quán)的頻段可供選擇(如433MHz、868MHz和915MHz),在此基礎(chǔ)上也發(fā)展出了不少專用的無(wú)線通信協(xié)議,用戶可以充分利用這些資源,靈活快速地部署自己的物聯(lián)網(wǎng)架構(gòu),滿足定制化的應(yīng)用要求。
客艙故障是指客艙系統(tǒng)或設(shè)各產(chǎn)生的故障。例如:廚房電爐不加熱。
維護(hù)信息是指在做系統(tǒng)或部件自測(cè)試時(shí)得到的故障指示信息,包括:①指示燈;②代碼;③帶數(shù)字或不帶數(shù)字的詞組。
大多電子設(shè)各艙或設(shè)各架上的機(jī)載設(shè)備都是在部件的前面板做BITE測(cè)試,部分BITE測(cè)試在駕駛艙進(jìn)行。
12V交流電壓的升高,有浪涌電流流入電容器C1和C2.根據(jù)電子變壓器的能力,峰值電流超過(guò)電子變壓器額定值的電流可能會(huì)由于多種原因?qū)е鹿收?例如晶體管擊穿或可能導(dǎo)致變壓器繞組過(guò)熱退化。
錯(cuò)誤的時(shí)序可能導(dǎo)致初級(jí)側(cè)和次級(jí)側(cè)開(kāi)關(guān)的交叉導(dǎo)通。UCC24630包括CCM死區(qū)時(shí)間控制,以確保SR MOSFET在初級(jí)開(kāi)啟之前關(guān)閉,從而消除交叉?zhèn)鲗?dǎo)。
對(duì)于那些具有嚴(yán)格空載功耗要求、自動(dòng)檢測(cè)低功耗工作模式和110μA的低待機(jī)模式電流的設(shè)計(jì),負(fù)載影響極小:在典型的5V充電器上<1mW。
上海德懿電子科技有限公司 www.deyie.com
2.4GHz頻段的Wi-Fi、藍(lán)牙和Zigbee等短距互連技術(shù)目前是市場(chǎng)的主流,有分析顯示基于此類無(wú)線協(xié)議的連接數(shù)量占比在70%以上。
這幾個(gè)無(wú)線技術(shù)屬于開(kāi)放的技術(shù)標(biāo)準(zhǔn),市場(chǎng)滲透率高,生態(tài)比較完善,這都是先天的優(yōu)勢(shì).
在這個(gè)頻率范圍內(nèi),有許多可用的無(wú)需授權(quán)或需要授權(quán)的頻段可供選擇(如433MHz、868MHz和915MHz),在此基礎(chǔ)上也發(fā)展出了不少專用的無(wú)線通信協(xié)議,用戶可以充分利用這些資源,靈活快速地部署自己的物聯(lián)網(wǎng)架構(gòu),滿足定制化的應(yīng)用要求。
客艙故障是指客艙系統(tǒng)或設(shè)各產(chǎn)生的故障。例如:廚房電爐不加熱。
維護(hù)信息是指在做系統(tǒng)或部件自測(cè)試時(shí)得到的故障指示信息,包括:①指示燈;②代碼;③帶數(shù)字或不帶數(shù)字的詞組。
大多電子設(shè)各艙或設(shè)各架上的機(jī)載設(shè)備都是在部件的前面板做BITE測(cè)試,部分BITE測(cè)試在駕駛艙進(jìn)行。
12V交流電壓的升高,有浪涌電流流入電容器C1和C2.根據(jù)電子變壓器的能力,峰值電流超過(guò)電子變壓器額定值的電流可能會(huì)由于多種原因?qū)е鹿收?例如晶體管擊穿或可能導(dǎo)致變壓器繞組過(guò)熱退化。
錯(cuò)誤的時(shí)序可能導(dǎo)致初級(jí)側(cè)和次級(jí)側(cè)開(kāi)關(guān)的交叉導(dǎo)通。UCC24630包括CCM死區(qū)時(shí)間控制,以確保SR MOSFET在初級(jí)開(kāi)啟之前關(guān)閉,從而消除交叉?zhèn)鲗?dǎo)。
對(duì)于那些具有嚴(yán)格空載功耗要求、自動(dòng)檢測(cè)低功耗工作模式和110μA的低待機(jī)模式電流的設(shè)計(jì),負(fù)載影響極。涸诘湫偷5V充電器上<1mW。
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