焊按套管后末端,第二層膠帶屏蔽層,第一去膠帶導(dǎo)線,0,5in±0,25in鼓小n熱縮管,分步焊環(huán)修理屏蔽電纜屏蔽層的結(jié)構(gòu),BACS13S 194 C NP基本件號(hào).

電纜絕緣去除尺寸,根據(jù)溫度等級(jí)選擇兩側(cè)需要的內(nèi)側(cè)鋼環(huán)和外側(cè)銅環(huán),確保內(nèi)側(cè)鋼環(huán)的最小直徑大于屏蔽電纜外層絕緣,外側(cè)銅環(huán)的直徑大于內(nèi)側(cè)鋼環(huán)和屏蔽層厚度之和;將一個(gè)內(nèi)側(cè)鋼環(huán)放置在屏蔽電纜絕緣層末端之上,向后回折電纜屏蔽層在內(nèi)側(cè)鋼環(huán)之上并與內(nèi)側(cè)鋼環(huán)平齊。

根據(jù)溫度等級(jí)選擇屏蔽層材料,屏蔽材料的最小直徑大于電纜屏蔽層回折直徑,最波音件號(hào)顏色.

這兩款MCU以一個(gè)外設(shè)DMA控制器(PDC)將各個(gè)SAM7X外設(shè)直接與片上存儲(chǔ)器連接起來，這樣不需任何處理器的操作就可實(shí)現(xiàn)高吞吐量的數(shù)據(jù)傳輸。

傳統(tǒng)的ARM處理器需要中央處理器(CPU)以每次1字節(jié)的速度傳輸數(shù)據(jù)，僅僅2Mbps的傳輸速率就需占用55%的處理資源.

4Mbps的速率更需占據(jù)所有的處理資源，因此無法實(shí)現(xiàn)更高的數(shù)據(jù)傳輸速率。相反，SAM7X在4Mbps的速率時(shí)僅需消耗其2%的周期，而在10Mbps的速率時(shí)也只需消耗4%的周期。

使用異丙醇清潔電纜損傷每側(cè)大約3in的絕緣區(qū)域。

鋼環(huán)銅環(huán)修理屏蔽電纜屏蔽層的結(jié)構(gòu),小長(zhǎng)度等于電纜兩側(cè)屏蔽層回折后末端之間的距離;將屏蔽材料套在電纜上,屏蔽材料的末端與電纜屏蔽層回折后的末端對(duì)齊。

最小lin第二層膠帶回折小環(huán)后,末端屏蔽材料金屬小環(huán)修理屏蔽電纜的結(jié)構(gòu).