NSi66x1A內(nèi)部集成彌勒鉗位采用UL-94V0材料加以制造

發(fā)布時間:2022/7/19 17:48:48 訪問次數(shù):70

NSi66x1A和NSi6601M雙雙發(fā)布，均適用于驅(qū)動SiC，IGBT和MOSFET等功率管，兼具車規(guī)（滿足AEC-Q100標準）和工規(guī)兩種等級，廣泛適用于新能源汽車、空調(diào)、電源、光伏等應(yīng)用場景。

高環(huán)境溫度（可長期運行在環(huán)境-40℃～+85℃工作條件下）、PWM調(diào)光、遠程開/關(guān)等功能，該產(chǎn)品功率密度高、符合ROSH指令、產(chǎn)品采用UL-94V0材料加以制造、可靠性高（MTBF>2000000小時）。

節(jié)省了Buffer電路的費用和PCB的體積，同時還不需要額外的電路做匹配，增加了系統(tǒng)的穩(wěn)定性。此外，NSi66x1A內(nèi)部集成彌勒鉗位，支持分離輸出，使用簡單，外圍器件更少，凸顯性價比。

并聯(lián)電路:

總電流等于各處電流之和:I=I1+I2。

各處電壓相等:U=U1=U2。

總電阻等于各電阻之積除以各電阻之和:1/R-1/R1+1R2[R=R1R7(R1+R2)]。

I1/I2=R2/R1(分流公式)。

P1/P2=R2/R1。

總電功等于各電功之和:

W=W1+W2。

I1:12=R2:R1。

w1:・Wˉ2-11:12-R2:R1。

結(jié)構(gòu)光或主動立體視覺等3D傳感技術(shù)需要近紅外圖像傳感器，以實現(xiàn)眼動和手勢追蹤、物體檢測、深度測繪等功能。Mira220將推動2D或3D傳感在增強現(xiàn)實和虛擬現(xiàn)實產(chǎn)品、無人機、機器人和自動駕駛汽車等工業(yè)應(yīng)用以及在智能門鎖等消費設(shè)備中的應(yīng)用。

Mira220具有高量子效率，使設(shè)備制造商能夠降低2D和3D傳感系統(tǒng)中與圖像傳感器一起使用的近紅外照明器的輸出功率，從而降低總功耗。

Mira220功耗極低，睡眠模式下僅為4mW，待機模式下為40mW，在全分辨率和90fps下功耗為350mW。因此，可穿戴設(shè)備和便攜式設(shè)備制造商能夠指定使用較小的電池來節(jié)省空間，或延長充電后的使用時間。