二極管的功能特點(diǎn)與識(shí)別檢測(cè),二極管的制作材料有鍺半導(dǎo)體材料和硅半導(dǎo)體材料,在對(duì)工極管進(jìn)行選配、準(zhǔn)確區(qū)分二極管的制作材料是十分關(guān)鍵的步驟。

判別二極管制作材料時(shí),主要依據(jù)不同材料二極管的導(dǎo)通電壓有明顯區(qū)別這一特點(diǎn)進(jìn)行判別,通常使用數(shù)字萬(wàn)用表的工極管擋進(jìn)行檢測(cè),二極管制作材料的檢測(cè)操作.

檢測(cè)安裝在電路板上的二極管屬于在路檢測(cè),檢測(cè)方法與上面訓(xùn)練的方法相同,但由于在路原因,二極管處于某種電路關(guān)系中,因此很容易受外圍元器件的影響,導(dǎo)致測(cè)量結(jié)果有所不同。

這是專(zhuān)門(mén)針對(duì)高性能3GPP LTE射頻應(yīng)用的業(yè)界第一款DFE設(shè)計(jì)。

該設(shè)計(jì)不僅能夠降低總功耗，同時(shí)其高可擴(kuò)展能力還能夠支持從大型多扇區(qū)宏單元（multi-sector macrocell）基站到超微型基站的多種應(yīng)用。

投影儀能夠獲得20英寸大小，XGA級(jí)分辨率的投影，投影距離為50-60cm。投影儀的光源使用的是紅、綠、藍(lán)三色激光，這里壓電原件主要使用的微形振動(dòng)鏡，在投影的時(shí)候激光照射在鏡面上然后同時(shí)向水平和垂直方面擴(kuò)散出去。

串行NAND閃存技術(shù)，使嵌入式應(yīng)用產(chǎn)品能夠靈活方便地升級(jí)存儲(chǔ)容量。美光串行NAND閃存的最低芯片密度為1Gb，這樣一來(lái)，客戶(hù)就能夠輕松地在串行NOR閃存現(xiàn)有存儲(chǔ)能力之外，以高性?xún)r(jià)比擴(kuò)展存儲(chǔ)容量；此外，美光的這款閃存還具有顯著的每數(shù)據(jù)位成本（cost-per-bit）優(yōu)勢(shì)。