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嵌入式比特整形器的AS8224使FlexRay拓撲結(jié)構(gòu)

發(fā)布時間:2022/8/1 6:45:56 訪問次數(shù):56

非接觸銀行芯片——SmartMX P5CD012應(yīng)用到銀行卡中(半天線尺寸),該芯片具有行業(yè)標(biāo)竿385毫秒的交易速度,并已得到MasterCard®(以下簡稱萬事達卡)PayPass™認證。

這項解決方案將確保發(fā)卡商和銀行機構(gòu)為消費者提供快速、安全的支付卡并讓消費者享受最佳的非接觸支付體驗——取代現(xiàn)金并減少排隊等待。

為實現(xiàn)更短的支付處理時間,采用了最新的雙界面SmartMX P5CD016產(chǎn)品線,其處理非接觸交易的時間比市場同類產(chǎn)品快35%。

SmartMX IC產(chǎn)品線致力于滿足領(lǐng)先的銀行業(yè)應(yīng)用需求,即增強安全性和靈活性,更多的數(shù)據(jù)和更快的傳輸速率。

FlexRay幀的字節(jié)起始序列(BSS)可縮短或延長一個微時標(biāo)(microtick)。

比特整形功能可作為可選設(shè)置,當(dāng)器件連接外部時鐘時將發(fā)揮功效。另外,不使用比特整形時,器件將用作一個沒有時序整形功能的標(biāo)準Active Star器件。

采用嵌入式比特整形器的AS8224使FlexRay拓撲結(jié)構(gòu)超越了當(dāng)今的所有應(yīng)用需求,使網(wǎng)絡(luò)拓撲結(jié)構(gòu)擁有不止一個Active Star。我們不僅設(shè)計和開發(fā)符合FlexRay規(guī)范的產(chǎn)品,我們的目標(biāo)是更加細致入微地認識FlexRay系統(tǒng),以取得超越標(biāo)準的性能提升,進而更好地服務(wù)客戶。

30V TurboFET系列包括采用PowerPAK 1212-8封裝的新型Si7718DN和采用PowerPAK SO-8封裝的 Si7784DP。兩款MOSFET在4.5V和10V時典型柵極電荷分別為13.7 nC和30 nC,且在4.5V和10V時導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積FOM分別為112.34 mΩ-nC和180mΩ-nC。采用PowerPAK SO-8封裝的20V SiS426DN器件SiR496DP也可用于大電流應(yīng)用。日前推出的所有器件均無鹵素,且100%通過 Rg和UIS測試。

這些器件將在同步降壓轉(zhuǎn)換器中用作高端MOSFET,通過使用負載點(POL)功率轉(zhuǎn)換有助于節(jié)省筆記本電腦、穩(wěn)壓器模塊(VRM)、服務(wù)器及其他系統(tǒng)的功耗。


非接觸銀行芯片——SmartMX P5CD012應(yīng)用到銀行卡中(半天線尺寸),該芯片具有行業(yè)標(biāo)竿385毫秒的交易速度,并已得到MasterCard®(以下簡稱萬事達卡)PayPass™認證。

這項解決方案將確保發(fā)卡商和銀行機構(gòu)為消費者提供快速、安全的支付卡并讓消費者享受最佳的非接觸支付體驗——取代現(xiàn)金并減少排隊等待。

為實現(xiàn)更短的支付處理時間,采用了最新的雙界面SmartMX P5CD016產(chǎn)品線,其處理非接觸交易的時間比市場同類產(chǎn)品快35%。

SmartMX IC產(chǎn)品線致力于滿足領(lǐng)先的銀行業(yè)應(yīng)用需求,即增強安全性和靈活性,更多的數(shù)據(jù)和更快的傳輸速率。

FlexRay幀的字節(jié)起始序列(BSS)可縮短或延長一個微時標(biāo)(microtick)。

比特整形功能可作為可選設(shè)置,當(dāng)器件連接外部時鐘時將發(fā)揮功效。另外,不使用比特整形時,器件將用作一個沒有時序整形功能的標(biāo)準Active Star器件。

采用嵌入式比特整形器的AS8224使FlexRay拓撲結(jié)構(gòu)超越了當(dāng)今的所有應(yīng)用需求,使網(wǎng)絡(luò)拓撲結(jié)構(gòu)擁有不止一個Active Star。我們不僅設(shè)計和開發(fā)符合FlexRay規(guī)范的產(chǎn)品,我們的目標(biāo)是更加細致入微地認識FlexRay系統(tǒng),以取得超越標(biāo)準的性能提升,進而更好地服務(wù)客戶。

30V TurboFET系列包括采用PowerPAK 1212-8封裝的新型Si7718DN和采用PowerPAK SO-8封裝的 Si7784DP。兩款MOSFET在4.5V和10V時典型柵極電荷分別為13.7 nC和30 nC,且在4.5V和10V時導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積FOM分別為112.34 mΩ-nC和180mΩ-nC。采用PowerPAK SO-8封裝的20V SiS426DN器件SiR496DP也可用于大電流應(yīng)用。日前推出的所有器件均無鹵素,且100%通過 Rg和UIS測試。

這些器件將在同步降壓轉(zhuǎn)換器中用作高端MOSFET,通過使用負載點(POL)功率轉(zhuǎn)換有助于節(jié)省筆記本電腦、穩(wěn)壓器模塊(VRM)、服務(wù)器及其他系統(tǒng)的功耗。


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