三極管的放大倍數(shù)(乃FE)是三極管在放大狀態(tài)下集電極電流與基極電流之比,即hFE=ic/ibc。NPN型三極管放大倍數(shù)的檢測(cè)電路。

NPN型三極管放大倍數(shù)的檢測(cè)電路，一般小信號(hào)放大用三極管的基極一發(fā)射極電壓ubc=0.6V,電源電壓為6V,基極電阻Rb的電壓降為6V-0.6V=5,4V,由此可求出基極電流,Fb=5.4V/510kΩ≈0.01mA,此時(shí)檢測(cè)集電極電流。三極管不同,放大倍數(shù)不同,所測(cè)得的集電極電流不同。

用電流表或萬(wàn)用表電流擋測(cè)量三極管的集電極電流時(shí),如測(cè)得的集電極電流為2mA,則飪E=2/0,01=200。三極管放大倍數(shù)測(cè)試電路的連接方法。

三極管放大倍數(shù)測(cè)試電路的連接方法，PNP型三極管放大倍數(shù)測(cè)試電路及電路連接方法，該電路與NPN測(cè)試電路相比,電池的極性反接。

20Vn通道功率MOSFET+肖特基二極管---SiB800EDK，該器件采用1.6mm×1.6mm的熱增強(qiáng)型 PowerPAK®SC-75封裝。這款新型器件的推出，意味著Vishay將其在100mA時(shí)具有0.32V低正向電壓的肖特基二極管與具有在低至1.5V柵極驅(qū)動(dòng)時(shí)規(guī)定的額定導(dǎo)通電阻的MOSFET進(jìn)行了完美結(jié)合。

將兩個(gè)元件整合到一個(gè)封裝中不僅節(jié)省了空間，而且包含溝槽肖特基二極管可保持較低的正向電壓，從而降低了電平位移應(yīng)用中的壓降。

SiB800EDK具有0.960Ω（1.5V VGS 時(shí)）～0.225Ω（4.5V VGS 時(shí)）的低導(dǎo)通電阻范圍。1.5V時(shí)的低導(dǎo)通電阻額定值可使MOSFET與低電平時(shí)的信號(hào)一同使用。

整個(gè)芯片（內(nèi)置儀表放大器與兩個(gè)運(yùn)算放大器）的總功耗僅為2mA，可實(shí)現(xiàn)具有更大通道密度及更低成本的設(shè)計(jì)。

RF前端解決方案一種創(chuàng)新性架構(gòu)，首次在單芯片上集成兩個(gè)完全匹配的功率放大器 (power amplifier, PA)。這種架構(gòu)對(duì)外形尺寸和功耗進(jìn)行了優(yōu)化，使制造商能夠支持計(jì)算和嵌入式系統(tǒng)中的無(wú)線多媒體應(yīng)用，同時(shí)滿足消費(fèi)者在微型化、電池壽命和低成本方面越來(lái)越嚴(yán)苛的要求。

SE2566U是業(yè)界唯一一款集成了兩個(gè)2.4GHz完全匹配功放的RF前端解決方案。