由于SAS物理層和串行ATA兼容，用戶可以選擇SAS或SATA硬盤驅(qū)動器來在板上組裝系統(tǒng)，也可以同時使用這兩種驅(qū)動器。SAS技術(shù)使SCSI接口解決方案超越Ultra320，在達到新一代DAS（Direct Attach Storage）企業(yè)級服務器和高性能工作站的要求的同時，保留設(shè)備級的向后兼容性。

SAS標準定義了一個設(shè)備級企業(yè)存儲接口，這個標準合成了SCSI命令集，串行點對點連接，雙端口，增強的尋址能力，并且可以升級到SFF接口（small form factors）。

DAS市場，在兆兆字節(jié)方面，將繼續(xù)強勁增長，而像LSI邏輯這樣的公司成功地將SAS定位于接替并行SCSI的技術(shù)，新技術(shù)必須同時加強性能和降低成本，也必須要準時面世。隨著服務器市場從Ultra320 SCSI發(fā)展到SAS，這些都是特別重要的。

LTC4411包含一個140mOhm P溝道MOSFET。在正常正向運行期間，通過MOSFET的壓降能夠被調(diào)節(jié)低至28mV。在負載電流高達100mA時的靜態(tài)電流低于40uA。如果輸出電壓超過輸入電壓，MOSFET就會被切斷，從OUT到IN的反向電流低于1uA。最大正向電流限制在一個恒定的2.6A（典型值），而內(nèi)部溫度限制電路可在出現(xiàn)差錯時保護部件。在關(guān)斷時，LTC4411耗電小于25uA。

LTC4411性能概要：

針對“或”二極管的低損耗替代

低調(diào)節(jié)正向電壓：28mV

最大正向電流2.6A

低正向?qū)娮瑁?40mOhms

低反向漏電流<1uA

2.6V到5.5V運行范圍

保護方式：電流限制、溫度、反向電流

5引線ThinSOT封裝

為了延長的電池壽命、低輸入電壓運行或產(chǎn)生熱量最小化而采取多重電源“或”方式時，可使功率耗散和壓降最小化。此外，LTC4411具有多種保護功能，如電流限制、溫度保護、以及輸入電源的反向電流監(jiān)測保護，這提高了系統(tǒng)的可靠性。

新器件具有自定時擦寫周期，內(nèi)置式寫保護功能，高度可靠，可保存數(shù)據(jù)達200年之久及承受100萬次擦寫。這些器件都采用Microchip的低功耗CMOS技術(shù)。