大動態(tài)范圍低頻信號的地方如智能溫度/壓力傳感器

發(fā)布時間:2022/10/6 21:42:45 訪問次數(shù):116

P-MOSFET FDZ299P，它是超小型1.5x1.5mm BGA封裝。目標(biāo)應(yīng)用在手機(jī)，PDA，手提音樂播放器，GPS接收器和數(shù)碼相機(jī)的電源管理。

典型的MOSFET是標(biāo)準(zhǔn)封裝，同樣尺寸的耗散功率不能大于150mW或在穩(wěn)態(tài)處理350mA以上的電流，而FDZ299P的耗散功率有1.7W。

FDZ229P的封裝高度最高為0.8mm，使該器件能裝配成RF屏蔽，內(nèi)部子系統(tǒng)和顯示器。該器件的導(dǎo)通電阻RDS(on)極低，VGS=-4.5V時為55毫歐姆，VGS=-2.5V為80毫歐姆，柵極電荷低，VGS =4.5V, Qg=9nC。

兩種由用戶編程的數(shù)據(jù)采集和處理的系統(tǒng)級芯片ADuC845和ADuC827,集成了有可編程的微控制器和閃存的24位精密數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器。

該新器件目標(biāo)應(yīng)用在需要精密測量大動態(tài)范圍低頻信號的地方如智能傳感器，溫度/壓力傳感器，4-20mA控制回路和病人監(jiān)護(hù)系統(tǒng)。

主ADC中還有可編增益放大器（PGA），以便直接測量低電平信號。

ADuC847是ADuC845的低成本型號，它沒有第二個ADC和DAC，不能同時進(jìn)行A/D轉(zhuǎn)換和經(jīng)由DAC的控制，以便簡化應(yīng)用。

用于數(shù)字信號處理技術(shù)的高速多相分立富利葉變換(DFT)核。ASIC現(xiàn)在完全能批量生產(chǎn)，能以DSP的形式向無線基站供應(yīng)商提供。

多核方案滿足高性能控制處理系統(tǒng)的嚴(yán)格要求，變得越來越引人注目。許多個ARM966E-S核集成在單一ASIC芯片上，證明了ARM架構(gòu)和AMBA總線結(jié)構(gòu)的靈活性。

片上代碼閃存/電擦除（EE）存儲器允許在電路中進(jìn)行重新編程，而單獨(dú)的數(shù)據(jù)存儲器則提供了非揮發(fā)的讀/寫區(qū)，以增加安全性。

主和輔兩種ADC都采用了該公司的高頻"斬波"技術(shù)以得到極好的DC失調(diào)和失調(diào)漂移性能。

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