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貼片小型封裝輸出較大的充電電流將啟用ASK調(diào)制電路

發(fā)布時間:2022/10/26 13:29:59 訪問次數(shù):170

充電芯片分為線性充電和開關型充電管理。線性充電芯片體積小、易于使用、無噪聲及輻射傳導干擾、成本低廉,市場上比較熟悉通用的型號是4054及4056;但是效率低發(fā)熱量大,無法滿足1A以上大電流充電應用。

開關型充電芯片以其高效率而聞名,可貼片小型封裝輸出較大的充電電流。但與線性充電芯片相比,外圍電感器需要更大的電路板空間,增加了BOM成本和設計復雜性,且需考慮EMI輻射干擾。

CS5918R內(nèi)置四個環(huán)路來控制充電過程,分別為恒流(CC)環(huán)路、恒壓(CV)環(huán)路、芯片溫度調(diào)節(jié)環(huán)路、可智能調(diào)節(jié)充電電流,防止拉垮適配器輸出,并匹配所有適配器的輸入自適應環(huán)路。

功率為1500W的醫(yī)療電源產(chǎn)品,其屬于PJMA系列。功率為1500W的PJMA1500F的通用輸入電壓為85至264VAC,符合國際安全標準。PJMA系列電源專為要求嚴苛的醫(yī)療應用而設計,適用于醫(yī)療浮體(BF)應用,并符合2MOPP(IN/OUT)和1MOPP(OUT/FG)安全要求。

四個單輸出電壓作為提供的標準,12V/125A,24V/64A,36V/42A和48V/32A.同時可使用內(nèi)置電位器調(diào)節(jié)輸出電壓。

PJMA系列具有浪涌電流限制電路、過流和過壓保護以及熱保護。該系列電源具有多功能和堅固特性,可在-20℃到+70℃的環(huán)境溫度范圍內(nèi)運行。根據(jù)最終的設備組裝方式和冷卻條件,可能會產(chǎn)生降額。

單芯片解決方案實現(xiàn)反向無線充電,CPS4057模塊將在重新使用或重新配置。此時CPS4057將LDO設置為旁路模式,并將整流器功率FET重新用作DC/AC轉換的功率逆變器。出于通信目的,CPS4057模塊將啟用ASK調(diào)制電路。另外,方案帶有的電壓/電流傳感用于電壓/電流檢測和FOD檢測。

LTC7050的轉換損耗很低,因而在高頻設計中,其比常規(guī)DrMOS模塊效率更高。功率器件電流和電壓的重疊時間由驅動速度決定。

多芯片DrMOS模塊中,驅動速度受驅動器與功率MOSFET之間以及驅動器與其電容之間的電感限制。過快驅動MOSFET柵極可能導致功率器件/驅動器的柵極過壓,并引發(fā)故障。另外,高di/dt會導致開關節(jié)點處出現(xiàn)較大的尖峰,因為熱環(huán)路電感不可忽略。


充電芯片分為線性充電和開關型充電管理。線性充電芯片體積小、易于使用、無噪聲及輻射傳導干擾、成本低廉,市場上比較熟悉通用的型號是4054及4056;但是效率低發(fā)熱量大,無法滿足1A以上大電流充電應用。

開關型充電芯片以其高效率而聞名,可貼片小型封裝輸出較大的充電電流。但與線性充電芯片相比,外圍電感器需要更大的電路板空間,增加了BOM成本和設計復雜性,且需考慮EMI輻射干擾。

CS5918R內(nèi)置四個環(huán)路來控制充電過程,分別為恒流(CC)環(huán)路、恒壓(CV)環(huán)路、芯片溫度調(diào)節(jié)環(huán)路、可智能調(diào)節(jié)充電電流,防止拉垮適配器輸出,并匹配所有適配器的輸入自適應環(huán)路。

功率為1500W的醫(yī)療電源產(chǎn)品,其屬于PJMA系列。功率為1500W的PJMA1500F的通用輸入電壓為85至264VAC,符合國際安全標準。PJMA系列電源專為要求嚴苛的醫(yī)療應用而設計,適用于醫(yī)療浮體(BF)應用,并符合2MOPP(IN/OUT)和1MOPP(OUT/FG)安全要求。

四個單輸出電壓作為提供的標準,12V/125A,24V/64A,36V/42A和48V/32A.同時可使用內(nèi)置電位器調(diào)節(jié)輸出電壓。

PJMA系列具有浪涌電流限制電路、過流和過壓保護以及熱保護。該系列電源具有多功能和堅固特性,可在-20℃到+70℃的環(huán)境溫度范圍內(nèi)運行。根據(jù)最終的設備組裝方式和冷卻條件,可能會產(chǎn)生降額。

單芯片解決方案實現(xiàn)反向無線充電,CPS4057模塊將在重新使用或重新配置。此時CPS4057將LDO設置為旁路模式,并將整流器功率FET重新用作DC/AC轉換的功率逆變器。出于通信目的,CPS4057模塊將啟用ASK調(diào)制電路。另外,方案帶有的電壓/電流傳感用于電壓/電流檢測和FOD檢測。

LTC7050的轉換損耗很低,因而在高頻設計中,其比常規(guī)DrMOS模塊效率更高。功率器件電流和電壓的重疊時間由驅動速度決定。

多芯片DrMOS模塊中,驅動速度受驅動器與功率MOSFET之間以及驅動器與其電容之間的電感限制。過快驅動MOSFET柵極可能導致功率器件/驅動器的柵極過壓,并引發(fā)故障。另外,高di/dt會導致開關節(jié)點處出現(xiàn)較大的尖峰,因為熱環(huán)路電感不可忽略。


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