新產(chǎn)品“BD9S402MUF-C”不僅滿(mǎn)足ADAS用二次側(cè)DC-DC轉(zhuǎn)換器IC需要具備的開(kāi)關(guān)工作頻率2MHz、輸出電流4A等基本要求，而且通過(guò)采用ROHM自有的超高速脈沖控制技術(shù)“Nano Pulse Control™”，還可滿(mǎn)足下一代SoC和微控制器要求的0.6V低電壓輸出（優(yōu)于當(dāng)前要求的1.0V輸出）。

另外，還采用新確立的高速負(fù)載響應(yīng)技術(shù)“QuiCur™”，實(shí)現(xiàn)了非常出色的穩(wěn)定運(yùn)行（負(fù)載響應(yīng)特性）。即使在1.0V以下的低電壓輸出條件下或負(fù)載電流波動(dòng)時(shí)，也可以將電壓波動(dòng)抑制在±5%以?xún)?nèi)，因此非常適用于高端ADAS的二次側(cè)電源。

HYPERRAM™是一款基于PSRAM的獨(dú)立易失性存儲(chǔ)器，它可提供一種經(jīng)濟(jì)實(shí)用的添加方式來(lái)擴(kuò)展存儲(chǔ)器。其數(shù)據(jù)速率與SDR DRAM相當(dāng)，但所用的引腳數(shù)更少，功耗更低。

HyperBus™接口每個(gè)引腳的數(shù)據(jù)吞吐量更高，從而可以使用引腳數(shù)較少的微控制器（MCU）和層數(shù)較少的PCB，為目標(biāo)應(yīng)用提供復(fù)雜性更低以及成本更優(yōu)化的的設(shè)計(jì)方案。

可作為裸片(晶圓)提供,能夠減少逆變器的功率損失。在相同的電流密度下，與目前的AE4工藝相比功率效率提升6%，使EV能夠用更少的電池行駛更遠(yuǎn)的距離.

對(duì)于醫(yī)療應(yīng)用，AEA800F輸入到輸出的隔離為2MOPP，輸入到地為1MOPP，輸出到地為1MOPP，因此適用于浮體(BF)應(yīng)用。該產(chǎn)品已經(jīng)通過(guò)了ANSI/AAMI ES60601-1和第三版EN60601-1認(rèn)證。

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