40V、1.1mΩ的氮化鎵場效應(yīng)晶體管(EPC2066），為設(shè)計工程師提供比硅MOSFET更小、更高效的器件，用于高性能、占板面積受限的應(yīng)用。

增強型氮化鎵(eGaN®)功率場效應(yīng)晶體管和集成電路，新推40V、典型值為0.8mΩ的EPC2066氮化鎵場效應(yīng)晶體管，為客戶提供更多可選的低壓氮化鎵晶體管。

EPC2066的低損耗和小尺寸使其成為用于最新服務(wù)器和人工智能的高功率密度、40V~60V/12V DC/DC轉(zhuǎn)換器次級側(cè)的理想開關(guān)器件。它也是電源供電和銀盒數(shù)據(jù)中心服務(wù)器中次級側(cè)同步整流至12V的理想器件，而且適用于24V~32V的高密度電機驅(qū)動應(yīng)用。

氮化鎵場效應(yīng)晶體管可在高頻工作,具有高效率和13.9mm2的超小尺寸等優(yōu)勢,可以實現(xiàn)最高功率密度。

新增100kHz至67GHz選項還支持計劃中的更高頻率5G頻段、60GHz WiGig頻段和星間鏈路。

高精度復(fù)雜數(shù)字調(diào)制信號的獨立矢量信號發(fā)生器的頻率上限為44GHz。更高的頻率只能通過外接上變頻器或者犧牲精度來實現(xiàn)，但兩者都有局限性。

R&S SMW200A提供了最大頻率為56GHz和67GHz的新選件，極大地提高了產(chǎn)生高質(zhì)量帶寬數(shù)字調(diào)制信號的極限。

SMC(DO-214AB)封裝的新系列表面貼裝TRANSZORB®雙向瞬態(tài)電壓抑制器(TVS）---SMC3KxxxCAHM3_A,可用于汽車、工業(yè)和通信應(yīng)用。SMC3KxxxCAHM3_A系列器件10/1000μs條件下浪涌性能高達3kW,符合ISO 16750-2 Pulse b規(guī)范，22V至120V漏電流低至1μA，工作溫度達+175 °C。

General Semiconductor TVS通過AEC-Q101認證， 在-55°C至+175°C整個工作溫度范圍內(nèi)能提供非常穩(wěn)定的擊穿電壓，達到11.1V至133V，適用于各種高可靠性應(yīng)用。

器件可保護敏感電子設(shè)備，避免感應(yīng)負載切換和照明引起的電壓瞬變損壞，典型應(yīng)用包括汽車拋負載保護，工業(yè)和通信系統(tǒng)信號線保護。

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