面向旗艦手機(jī)的驍龍8Gen 1處理器，目前已經(jīng)陸續(xù)用在旗艦手機(jī)上，不過由于采用了4nm制程工藝，驍龍8 Gen 1的能效似乎不盡如人意，特別是發(fā)熱量讓人頭疼，而各大手機(jī)廠商也表示將很大的精力投入到手機(jī)的散熱之中，此外有評測稱驍龍8 Gen 1處理器在重載情況下出現(xiàn)了嚴(yán)重的發(fā)熱。

當(dāng)然現(xiàn)在有消息稱計(jì)劃推出驍龍8 Gen 1處理器的改良版也就是8 Gen 1 Plus處理器，主要采用了臺積電的制程工藝，或許在很大程度上將會改善驍龍8 Gen 1高燒不退的情況。

驍龍8 Gen 1 Plus處理器，與目前的驍龍8 Gen 1的不同點(diǎn)就在于制程的不同，采用臺積電4nm制程工藝，而后者則采用制程工藝，從目前的測試情況來看，4nm工藝還是要比三星的工藝成熟許多，基于4nm工藝的天璣9000在工程機(jī)上的表現(xiàn)也比驍龍8 Gen 1更加出色，因此似乎決定更換工藝。

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新IC利用智能接口，可以對電源的各種特性進(jìn)行控制，方便進(jìn)行數(shù)字編程控制的高效功率變換。而這種簡單的接口，再加上高頻有源鉗位工作，就意味著可以實(shí)現(xiàn)極小尺寸的電源適配器設(shè)計(jì)。

如果在使用InnoSwitch4-Pro和ClampZero IC之外，再使用MinE-CAP™器件，則可以進(jìn)一步減小適配器的尺寸。而MinE-CAP IC同樣基于PowiGaN技術(shù)，可將輸入電容的尺寸減小約40%。

恒轉(zhuǎn)矩負(fù)載的特點(diǎn)，使用變頻器控制時(shí)，需要注意幾點(diǎn)：

在選擇變頻器的VF曲線時(shí)，要選擇啟動轉(zhuǎn)矩較大的特征曲線;

適當(dāng)加大斜坡上升時(shí)的附加電流值設(shè)置，以保證其連續(xù)起動，并克服粘滯效應(yīng);

在設(shè)置電機(jī)電流限幅值時(shí)，應(yīng)適當(dāng)放寬電機(jī)允許的過載電流倍率。另外，對升降性的恒轉(zhuǎn)矩負(fù)載(如電梯、提升機(jī))，在其下降過程或停車時(shí)，需要外加制動單元。

恒功率負(fù)載。恒功率負(fù)載是指隨著電動機(jī)轉(zhuǎn)速下降，其輸出轉(zhuǎn)矩反而增加的負(fù)載(電機(jī)輸出功率不變)，如車床、鉆床、磨床等設(shè)備。

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