控制包括車載傳感器和攝像頭在內(nèi)的ADAS系統(tǒng)的SoC和微控制器也日益復(fù)雜（為提高處理能力而提高電流、為省電而降低電壓），這就要求向它們供電的電源IC，要在負(fù)載電流波動的嚴(yán)苛條件下，也能更穩(wěn)定地運(yùn)行。

為了滿足對這些電源IC的特性要求，ROHM在2017年針對低電壓輸出確立了超高速脈沖控制技術(shù)“Nano Pulse Control™”，高速負(fù)載響應(yīng)技術(shù)“QuiCur™”。此次，通過首次將QuiCur™技術(shù)融入ROHM新產(chǎn)品中，在同等性能的車載二次側(cè)DC-DC轉(zhuǎn)換器IC中，實現(xiàn)了業(yè)界先進(jìn)的超穩(wěn)定運(yùn)行。

新產(chǎn)品滿足性能日益提升的SoC（System on a Chip）和微控制器的二次側(cè)*2電源應(yīng)用所需求的小尺寸、4A輸出電流、開關(guān)工作頻率2MHz以上以及0.6V低壓輸出。

新一代IGBT（AE5）的關(guān)鍵特性

包含四款針對400-800V逆變器的產(chǎn)品：750V耐壓（220A和300A）及1200V耐壓（150A和200A）

在-40°C至175°C的整個工作結(jié)溫（Tj）范圍內(nèi)性能穩(wěn)定

業(yè)界高性能水平，導(dǎo)通電壓Vce（飽和電壓）為1.3V（最小化功率損耗的關(guān)鍵值）

電流密度比傳統(tǒng)產(chǎn)品高10%，小芯片尺寸（100mm2/300A）針對低功耗和高輸入電阻進(jìn)行優(yōu)化

通過減少對VGE（off）的參數(shù)變化至±0.5V來實現(xiàn)穩(wěn)定的并聯(lián)操作

保持反向偏置安全工作區(qū)（RBSOA），在 175°C結(jié)溫下最大Ic電流脈沖為600A，在400V下具有4μs的高度穩(wěn)健短路耐受時間.

AEA800F針對對流冷卻的方式進(jìn)行了優(yōu)化，使其可以在-20至+70攝氏度的環(huán)境溫度下工作。

將繼續(xù)擴(kuò)大產(chǎn)品組合，以滿足更廣泛的汽車應(yīng)用對更高速度和更大容量變速器的需求。

柵極電阻（Rg）的溫度依賴性縮減50%，由此最大限度地減少高溫下的開關(guān)損耗、低溫下的尖峰電壓和短路耐受時間，支持高性能設(shè)計

可作為裸片（晶圓）提供,能夠減少逆變器的功率損失。在相同的電流密度下，與目前的AE4工藝相比功率效率提升6%，使EV能夠用更少的電池行駛更遠(yuǎn)的距離

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