新型MOSFET非常適合智能手機(jī)、智能手表、助聽器和耳機(jī)等高度小型化電子產(chǎn)品，迎合了更智能、功能更豐富的趨勢(shì)，滿足了增加系統(tǒng)功耗的需求。

RDS(on)與競(jìng)爭(zhēng)器件相比性能提升了25%，可最大限度降低能耗，提高負(fù)載開關(guān)和電池管理效率。其卓越的性能還表現(xiàn)在自發(fā)熱降低，從而增強(qiáng)可穿戴設(shè)備的用戶舒適度。

在VGS =4.5V時(shí)，PMCB60XN和PMCB60XNE的最大RDS(on)分別為50mΩ和55mΩ。因此，在市場(chǎng)上類似的30V MOSFET中，PMCB60XN和PMCB60XNE單個(gè)芯片面積導(dǎo)通電阻最低。

車載LDO穩(wěn)壓器系列，支持低至100nF（納法：10的負(fù)九次方）的輸出電容量，不到普通產(chǎn)品1/10，而且，在輸入電壓和負(fù)載電流*2波動(dòng)的情況下，也能實(shí)現(xiàn)應(yīng)用產(chǎn)品所要求的穩(wěn)定工作（輸出電壓波動(dòng)100mV以內(nèi)：負(fù)載電流波動(dòng)1mA⇔50mA/1μ秒時(shí)）。

新產(chǎn)品支持超寬范圍的輸出電容量，不僅適用于普通的數(shù)μF的小型MLCC（多層陶瓷電容器）和大容量的電解電容器，也適用于以往實(shí)際應(yīng)用中很難穩(wěn)定工作的1μF以下的0603尺寸超小型MLCC，因此，不僅有助于元器件和電路板的小型化，還可以在更廣泛的電容器條件下使用，有助于減少設(shè)計(jì)工時(shí)。

此外，PMCB60XNE在集成于1.0mm ×0.6mm ×0.2mm的DSN1006小型外形中，還可提供額定2kV ESD保護(hù)（人體模型 – HBM）。這兩款MOSFET的額定漏極電流最高均可達(dá)4A。

除了采用DSN1006封裝的這兩款MOSFET外，Nexperia還推出了一款采用DSN1010封裝的12V N溝道Trench MOSFET PMCA14UN。PMCA14UN在VGS=4.5V時(shí)的最大RDS(on)為16mΩ，在0.96mm×0.96mm×0.24mm（SOT8007）尺寸下可具備市場(chǎng)領(lǐng)先的效率。

超穩(wěn)定控制技術(shù)“Nano Cap™”，新產(chǎn)品能夠支持不到普通產(chǎn)品1/10的100nF輸出電容量，而且，即使在輸入電壓和負(fù)載電流波動(dòng)時(shí)，也能實(shí)現(xiàn)應(yīng)用產(chǎn)品要求的穩(wěn)定性。

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