片上保密功能如片中關鍵邏輯電路盾牌保護提供高度保密功能
發(fā)布時間:2022/12/22 18:32:00 訪問次數(shù):80
Si4364DY的5.5 m歐姆低導通電阻和柵極電荷62nC,可使它用在200到300kHz的頻率范圍,其柵極驅動采用5V.對采用5V柵驅動更高頻率500kHz到1MHz以及采用5V柵驅動的任何頻率,Si4858DY有更低的柵極電荷30.5nC和在4.5V柵驅動時導通電阻7m歐姆.
Siliconix的Si4860DY是為低端和高端工作而設計的.在4.5V柵驅動時導通電阻11m歐姆,使得該器件在低端工作時導通損耗低.作為高端MOSFET,Si4860DY降低了開關損耗,導致更高效率的控制.該器件的開態(tài)延遲時間為18ns,低柵極電荷典型值為12nC,這就是說,比能處理10到25A輸出電流的同類產(chǎn)品低27%.
因此當用在高端和低端時,Si4860DY的導通電阻和柵極電荷的乘積要比同類產(chǎn)出產(chǎn)品低大約22%.
其它應用還包括移動信息終端如PDA和手機中安全保密和計費功能,以及工作站和PC中的防盜功能。
AE45X-B器件,最初提供AE45X系列,有16位CPU內核,它特別適用于智能卡。他們能為加密系統(tǒng)加裝一個協(xié)處理器,提供高度保密功能。
這種協(xié)處理器能對公共密鑰結構(PKI)進行指數(shù)乘法/除法運算。
對于金融卡和其它需要高度安全的應用,微控制器通過幾個片上保密功能如片中關鍵邏輯電路盾牌保護,檢測和其它機制等來強有力地保護數(shù)據(jù)。AE45X-B外部接觸型接口符合ISO/IEC 7816標準,它能調整卡的物理特性,引腳的大小和位置,信號協(xié)議和指令。
在內核電壓DC/DC轉換器中單相或多相電源電路,同步低端和控制高端功率MOSFET提供了低的柵源和柵漏充電比,這就能使用低成本MOSFET而不會犧牲可靠性.Si4364DY和Si4858DY是優(yōu)化而用在低端同步整流,最大限度地降低導通損耗,增加效率,通態(tài)電阻在4.5V柵驅動時比一般器件要低12%左右.
上海德懿電子科技有限公司 www.deyie.com
Si4364DY的5.5 m歐姆低導通電阻和柵極電荷62nC,可使它用在200到300kHz的頻率范圍,其柵極驅動采用5V.對采用5V柵驅動更高頻率500kHz到1MHz以及采用5V柵驅動的任何頻率,Si4858DY有更低的柵極電荷30.5nC和在4.5V柵驅動時導通電阻7m歐姆.
Siliconix的Si4860DY是為低端和高端工作而設計的.在4.5V柵驅動時導通電阻11m歐姆,使得該器件在低端工作時導通損耗低.作為高端MOSFET,Si4860DY降低了開關損耗,導致更高效率的控制.該器件的開態(tài)延遲時間為18ns,低柵極電荷典型值為12nC,這就是說,比能處理10到25A輸出電流的同類產(chǎn)品低27%.
因此當用在高端和低端時,Si4860DY的導通電阻和柵極電荷的乘積要比同類產(chǎn)出產(chǎn)品低大約22%.
其它應用還包括移動信息終端如PDA和手機中安全保密和計費功能,以及工作站和PC中的防盜功能。
AE45X-B器件,最初提供AE45X系列,有16位CPU內核,它特別適用于智能卡。他們能為加密系統(tǒng)加裝一個協(xié)處理器,提供高度保密功能。
這種協(xié)處理器能對公共密鑰結構(PKI)進行指數(shù)乘法/除法運算。
對于金融卡和其它需要高度安全的應用,微控制器通過幾個片上保密功能如片中關鍵邏輯電路盾牌保護,檢測和其它機制等來強有力地保護數(shù)據(jù)。AE45X-B外部接觸型接口符合ISO/IEC 7816標準,它能調整卡的物理特性,引腳的大小和位置,信號協(xié)議和指令。
在內核電壓DC/DC轉換器中單相或多相電源電路,同步低端和控制高端功率MOSFET提供了低的柵源和柵漏充電比,這就能使用低成本MOSFET而不會犧牲可靠性.Si4364DY和Si4858DY是優(yōu)化而用在低端同步整流,最大限度地降低導通損耗,增加效率,通態(tài)電阻在4.5V柵驅動時比一般器件要低12%左右.
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