A/V接收機(jī)及環(huán)繞音響處理器等高質(zhì)量的多通道音頻產(chǎn)品
發(fā)布時(shí)間:2023/2/1 18:14:39 訪問(wèn)次數(shù):86
新型高質(zhì)量數(shù)字音頻引擎DAE-5,從而證明了TI可針對(duì)先進(jìn)的音頻系統(tǒng)不斷向業(yè)界提供具有創(chuàng)新性的解決方案。
通過(guò)充分利用DA610的可編程性及專業(yè)音響(PA)軟件框架的靈活性,DAE-5可幫助客戶以更快的速度向市場(chǎng)推出諸如A/V接收機(jī)及環(huán)繞音響處理器等高質(zhì)量的多通道音頻產(chǎn)品,同時(shí)迅速將其各自定制的后處理算法集成到該系統(tǒng)中。
通過(guò)在 TheaterMaster產(chǎn)品線中采用DAE-5,EAD能夠不斷地生產(chǎn)出屢獲殊榮的高質(zhì)量音頻產(chǎn)品。借助業(yè)界領(lǐng)先廠商MDS與TI先進(jìn)的專業(yè)音頻與高性能DSP技術(shù),使我們可以在極大縮短開(kāi)發(fā)時(shí)間的同時(shí)還能維持高品質(zhì)標(biāo)準(zhǔn)。
Silicon Labs的ISOmodem已成為衛(wèi)星視訊轉(zhuǎn)換器應(yīng)用的業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)。Si2401架構(gòu)非常簡(jiǎn)單,讓我們能繼續(xù)實(shí)現(xiàn)承諾,為客戶提供最直接又低成本的硬件調(diào)制解調(diào)器解決方案。
如同Silicon Labs所有ISOmodem產(chǎn)品,Si2401也提供可程序線路界面,它已通過(guò)實(shí)際應(yīng)用考驗(yàn),符合世界各地的電訊法規(guī)要求。
新器件有別于采用硬開(kāi)關(guān)器件的橋式或功率因數(shù)修正電路,其內(nèi)置本體二極管常處于活躍狀態(tài),并可承載工作周期中部分電流,加強(qiáng)了系統(tǒng)可靠性。當(dāng)內(nèi)置本體二極管處于通態(tài)時(shí)啟動(dòng)MOSFET,實(shí)質(zhì)上便可消除ZVS電源設(shè)計(jì)導(dǎo)通損耗。
IR全新L系列MOSFET能大大降低開(kāi)關(guān)及整體損耗,可用來(lái)設(shè)計(jì)在更高頻率下工作的電源,減小被動(dòng)元件尺寸并增加功率密度。
L系列器件內(nèi)的本體二極管之最大逆向恢復(fù)時(shí)間少于250ns,在電流更低的器件中時(shí)間更短。較短的逆向恢復(fù)周期確保內(nèi)置本體二極管可在工作關(guān)斷過(guò)程中發(fā)揮效益,在引入高壓前從導(dǎo)通狀態(tài)徹底恢復(fù)至阻斷狀態(tài)。
新型高質(zhì)量數(shù)字音頻引擎DAE-5,從而證明了TI可針對(duì)先進(jìn)的音頻系統(tǒng)不斷向業(yè)界提供具有創(chuàng)新性的解決方案。
通過(guò)充分利用DA610的可編程性及專業(yè)音響(PA)軟件框架的靈活性,DAE-5可幫助客戶以更快的速度向市場(chǎng)推出諸如A/V接收機(jī)及環(huán)繞音響處理器等高質(zhì)量的多通道音頻產(chǎn)品,同時(shí)迅速將其各自定制的后處理算法集成到該系統(tǒng)中。
通過(guò)在 TheaterMaster產(chǎn)品線中采用DAE-5,EAD能夠不斷地生產(chǎn)出屢獲殊榮的高質(zhì)量音頻產(chǎn)品。借助業(yè)界領(lǐng)先廠商MDS與TI先進(jìn)的專業(yè)音頻與高性能DSP技術(shù),使我們可以在極大縮短開(kāi)發(fā)時(shí)間的同時(shí)還能維持高品質(zhì)標(biāo)準(zhǔn)。
Silicon Labs的ISOmodem已成為衛(wèi)星視訊轉(zhuǎn)換器應(yīng)用的業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)。Si2401架構(gòu)非常簡(jiǎn)單,讓我們能繼續(xù)實(shí)現(xiàn)承諾,為客戶提供最直接又低成本的硬件調(diào)制解調(diào)器解決方案。
如同Silicon Labs所有ISOmodem產(chǎn)品,Si2401也提供可程序線路界面,它已通過(guò)實(shí)際應(yīng)用考驗(yàn),符合世界各地的電訊法規(guī)要求。
新器件有別于采用硬開(kāi)關(guān)器件的橋式或功率因數(shù)修正電路,其內(nèi)置本體二極管常處于活躍狀態(tài),并可承載工作周期中部分電流,加強(qiáng)了系統(tǒng)可靠性。當(dāng)內(nèi)置本體二極管處于通態(tài)時(shí)啟動(dòng)MOSFET,實(shí)質(zhì)上便可消除ZVS電源設(shè)計(jì)導(dǎo)通損耗。
IR全新L系列MOSFET能大大降低開(kāi)關(guān)及整體損耗,可用來(lái)設(shè)計(jì)在更高頻率下工作的電源,減小被動(dòng)元件尺寸并增加功率密度。
L系列器件內(nèi)的本體二極管之最大逆向恢復(fù)時(shí)間少于250ns,在電流更低的器件中時(shí)間更短。較短的逆向恢復(fù)周期確保內(nèi)置本體二極管可在工作關(guān)斷過(guò)程中發(fā)揮效益,在引入高壓前從導(dǎo)通狀態(tài)徹底恢復(fù)至阻斷狀態(tài)。
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