合金材料在真空高溫條件下加熱蒸發(fā)沉積在陶瓷骨架上制成的
發(fā)布時(shí)間:2023/6/21 19:14:46 訪問次數(shù):71
碳膜電阻器是將炭在真空高溫條件下分解的結(jié)晶炭蒸鍍沉積在陶瓷骨架上制成的。這種電阻器的電壓穩(wěn)定性好,造價(jià)低,在普通電子產(chǎn)品中應(yīng)用非常廣泛。
金屬膜電阻器的實(shí)物外形,金屬氧化膜電阻器就是將錫和銻的金屬鹽溶液經(jīng)過高溫噴霧沉積在陶瓷骨架上制成的。這種電阻器比金屬膜電阻器更為優(yōu)越,具有抗氧化、耐酸、抗高溫等特點(diǎn)。
合成碳膜電阻器是將碳黑、填料還有一些有機(jī)黏合劑調(diào)配成懸浮液,噴涂在絕緣骨架上,再進(jìn)行加熱聚合而成的。合成碳膜電阻器是一種高壓、高阻的電阻器,通常它的外層被玻璃殼封死。
R=Rl-+R2
R稱為電阻串聯(lián)電路的等效電阻。
電流r流過電阻R1和R2時(shí)都要產(chǎn)生電壓降,分別用LT1和U2表示,即
LJ1=IRI
LI2==rR2
電路的外加電壓u,等于各串聯(lián)電阻上的電壓降之和,即
u=u1+u2=rR1+rR 2=r(R1+R2)=rR
顯然,電阻串聯(lián)電路可以看作是一個(gè)分壓電路,兩個(gè)串聯(lián)電阻上的電壓分別為
U1=IRl
LJ2==ir∶R2
普通電阻器是一種阻值固定的電阻器。依據(jù)制造工藝和功能的不同,常見的普通電阻器有碳膜電阻器、金屬膜電阻器、金屬氧化膜電阻器、合成碳膜電阻器、熔斷電阻器、玻璃釉電阻器、水泥電阻器、排電阻器、貼片式電阻器及熔斷器等。
金屬膜電阻器是將金屬或合金材料在真空高溫的條件下加熱蒸發(fā)沉積在陶瓷骨架上制成的。
該類電阻器的阻值也采用色環(huán)標(biāo)注的方法,具有較高的耐高溫性能、溫度系數(shù)小、熱穩(wěn)定性好、噪聲小等優(yōu)點(diǎn)。與碳膜電阻器相比,金屬膜電阻器的體積小,但價(jià)格也較高。
碳膜電阻器是將炭在真空高溫條件下分解的結(jié)晶炭蒸鍍沉積在陶瓷骨架上制成的。這種電阻器的電壓穩(wěn)定性好,造價(jià)低,在普通電子產(chǎn)品中應(yīng)用非常廣泛。
金屬膜電阻器的實(shí)物外形,金屬氧化膜電阻器就是將錫和銻的金屬鹽溶液經(jīng)過高溫噴霧沉積在陶瓷骨架上制成的。這種電阻器比金屬膜電阻器更為優(yōu)越,具有抗氧化、耐酸、抗高溫等特點(diǎn)。
合成碳膜電阻器是將碳黑、填料還有一些有機(jī)黏合劑調(diào)配成懸浮液,噴涂在絕緣骨架上,再進(jìn)行加熱聚合而成的。合成碳膜電阻器是一種高壓、高阻的電阻器,通常它的外層被玻璃殼封死。
R=Rl-+R2
R稱為電阻串聯(lián)電路的等效電阻。
電流r流過電阻R1和R2時(shí)都要產(chǎn)生電壓降,分別用LT1和U2表示,即
LJ1=IRI
LI2==rR2
電路的外加電壓u,等于各串聯(lián)電阻上的電壓降之和,即
u=u1+u2=rR1+rR 2=r(R1+R2)=rR
顯然,電阻串聯(lián)電路可以看作是一個(gè)分壓電路,兩個(gè)串聯(lián)電阻上的電壓分別為
U1=IRl
LJ2==ir∶R2
普通電阻器是一種阻值固定的電阻器。依據(jù)制造工藝和功能的不同,常見的普通電阻器有碳膜電阻器、金屬膜電阻器、金屬氧化膜電阻器、合成碳膜電阻器、熔斷電阻器、玻璃釉電阻器、水泥電阻器、排電阻器、貼片式電阻器及熔斷器等。
金屬膜電阻器是將金屬或合金材料在真空高溫的條件下加熱蒸發(fā)沉積在陶瓷骨架上制成的。
該類電阻器的阻值也采用色環(huán)標(biāo)注的方法,具有較高的耐高溫性能、溫度系數(shù)小、熱穩(wěn)定性好、噪聲小等優(yōu)點(diǎn)。與碳膜電阻器相比,金屬膜電阻器的體積小,但價(jià)格也較高。
熱門點(diǎn)擊
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- 金屬導(dǎo)體中電流的方向和自由電子的實(shí)際移動(dòng)方向
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- 金屬導(dǎo)體中的自由電子會向著一定的方向移動(dòng)形成
- 當(dāng)溫度每升高1℃時(shí)導(dǎo)體電阻的增加值與原來電阻
- 插座盒嵌入高度通常離地0.3m特殊地方隱蔽高
- 經(jīng)檢測該處在觸摸A時(shí)電壓沒有變化說明IC N
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