Z3770D/3740D只能夠支持單通道DDR3L-RS-1333MHz內(nèi)存，最大2GB，實(shí)際帶寬只有10.6GB/s，支持的最低分辨率為1366×768，最高只有1920×1200，場(chǎng)景設(shè)計(jì)功耗（sDP）為2.2-2.4W，前者的最高頻率依然是2.4GHz，后者則是1.8GHz。

這四款處理器均未集成基帶芯片，必須通過(guò)第三方芯片才能使用3G/LTE，VR-Zone在資料中發(fā)現(xiàn)Intel將采用來(lái)自華為的兩顆芯片，其中ME906v能夠提供對(duì)LTE（LTE FDD B1/B2/B4/B5/B8/B13/B17）的支持，而MU736則能夠提供對(duì)3G網(wǎng)絡(luò)的支持，兩者均采用M.2接口。

小尺寸、低高度封裝的兩個(gè)新系列10mm標(biāo)準(zhǔn)表面貼裝7段LED數(shù)碼管---VDMx10x0和VDMx10A1系列，這兩款數(shù)碼管在GaAs芯片技術(shù)基礎(chǔ)上使用了AllnGap材料，使發(fā)光強(qiáng)度達(dá)到2750μcd典型值，有大紅色、淺橙色、黃色和綠色，可用于多種應(yīng)用。

220千伏智能變電站示范工程提供高壓隔離斷路器(DCB)等電力產(chǎn)品。該示范工程旨在通過(guò)部署和集成智能解決方案，提高電力網(wǎng)絡(luò)的效率和可靠性。

在傳統(tǒng)的敞開式變電站中，斷路器和隔離開關(guān)是相互獨(dú)立的設(shè)備，需要各自的安裝空間。ABB隔離式斷路器將隔離功能與斷路器集成為一體，從而無(wú)需單獨(dú)安裝兩套設(shè)備。

推出的器件采用發(fā)光均勻、無(wú)污點(diǎn)的數(shù)碼管和灰色封裝表面。VDMx10A1系列LED數(shù)碼管采用共陽(yáng)極配置，封裝高度只有2.1mm。VDMx10x0系列器件提供共陽(yáng)極和共陰極配置，封裝高度為3.75mm。

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