R05107ANP經(jīng)真空高溫或燒滲工藝蒸發(fā)沉積一層金屬膜或合金膜而成
發(fā)布時間:2023/8/25 0:22:19 訪問次數(shù):70
輸出端不允許直接接地或直接接+5V電源,否則將損壞器件,有時為了使后級電路獲得較高的輸出電平,允許輸出端通過電阻R接至Vc・c,一般取電阻R=3~5.1kΩ。
CMOS電路有很高的輸人阻抗,給使用者帶來一定的麻煩,即外來的干擾信號很容易在一些懸空的輸人端上感應出很高的電壓,導致器件損壞。
瓷介電容器以陶瓷作為介質(zhì),在兩面噴涂銀氣層,燒成銀質(zhì)薄膜做導體,引線后外表涂漆制成。其特點是絕緣性能好、體積小、耐高溫、耐高壓,適宜用于高頻電路。
金屬膜電阻器的外形及結(jié)構(gòu)與碳膜電阻器相似,不同的是金屬膜電阻器是在陶瓷骨架表面,R05107ANP經(jīng)真空高溫或燒滲工藝蒸發(fā)沉積一層金屬膜或合金膜而成的。
金屬膜電阻器的性能比碳膜電阻器好,主要體現(xiàn)在耐熱性能高(能在125℃下長期工作)、工作頻率范圍寬、精度高、穩(wěn)定性好、噪聲低、體積小、高頻特性好等方面,廣泛應用在精密儀器儀表等電子產(chǎn)品中。在同樣的功率條件下,其體積只有碳膜電阻器的1/2左右。
線繞電阻器是將高阻值康銅電阻絲或鎳鉻合金絲繞在瓷管上,外層涂以琺瑯或玻璃釉加以保護而成的。
光敏電阻器是一種電導率隨吸收的光量子多少而變化的敏感電阻器。它是利用半導體的光電效應特性而制成的,在無光照射時呈高阻狀態(tài),當有光照射時其電阻值迅速減小。
熱敏電阻器是用一種對溫度極為敏感半導體材料制成的,其阻值隨溫度變化非線性元件。
電阻值隨溫度升高而變小的稱為負溫度系數(shù)熱敏電阻器;電阻值隨溫度升高而增大的稱為正溫度系數(shù)熱敏電阻器。
標稱阻值是指電阻器上面所標示的阻值。不同精度等級的電阻器,其阻值系列不同。標稱阻值是按國家規(guī)定的電阻器標稱阻值系列選定的.
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輸出端不允許直接接地或直接接+5V電源,否則將損壞器件,有時為了使后級電路獲得較高的輸出電平,允許輸出端通過電阻R接至Vc・c,一般取電阻R=3~5.1kΩ。
CMOS電路有很高的輸人阻抗,給使用者帶來一定的麻煩,即外來的干擾信號很容易在一些懸空的輸人端上感應出很高的電壓,導致器件損壞。
瓷介電容器以陶瓷作為介質(zhì),在兩面噴涂銀氣層,燒成銀質(zhì)薄膜做導體,引線后外表涂漆制成。其特點是絕緣性能好、體積小、耐高溫、耐高壓,適宜用于高頻電路。
金屬膜電阻器的外形及結(jié)構(gòu)與碳膜電阻器相似,不同的是金屬膜電阻器是在陶瓷骨架表面,R05107ANP經(jīng)真空高溫或燒滲工藝蒸發(fā)沉積一層金屬膜或合金膜而成的。
金屬膜電阻器的性能比碳膜電阻器好,主要體現(xiàn)在耐熱性能高(能在125℃下長期工作)、工作頻率范圍寬、精度高、穩(wěn)定性好、噪聲低、體積小、高頻特性好等方面,廣泛應用在精密儀器儀表等電子產(chǎn)品中。在同樣的功率條件下,其體積只有碳膜電阻器的1/2左右。
線繞電阻器是將高阻值康銅電阻絲或鎳鉻合金絲繞在瓷管上,外層涂以琺瑯或玻璃釉加以保護而成的。
光敏電阻器是一種電導率隨吸收的光量子多少而變化的敏感電阻器。它是利用半導體的光電效應特性而制成的,在無光照射時呈高阻狀態(tài),當有光照射時其電阻值迅速減小。
熱敏電阻器是用一種對溫度極為敏感半導體材料制成的,其阻值隨溫度變化非線性元件。
電阻值隨溫度升高而變小的稱為負溫度系數(shù)熱敏電阻器;電阻值隨溫度升高而增大的稱為正溫度系數(shù)熱敏電阻器。
標稱阻值是指電阻器上面所標示的阻值。不同精度等級的電阻器,其阻值系列不同。標稱阻值是按國家規(guī)定的電阻器標稱阻值系列選定的.
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