監(jiān)測井下孔洞的位置傳感器，基于LVDT線性位置傳感器提供鉆井設(shè)備向下鉆進位置的反饋控制，如衡量鉆孔ID的孔范圍。

元件在電動非導(dǎo)電下額定壓力為20,000psi，在高達400°F的連續(xù)溫度具有化學(xué)良性媒體。

為了適應(yīng)高壓，該傳感器封裝用來平衡LVDT線性位置傳感器的內(nèi)外壓力。其它性能包括一個3/8”直徑設(shè)計，輕型低質(zhì)量核心，以及操作任一傳統(tǒng)差分輸入LVDT信號調(diào)節(jié)器。

HMC798LC4工作溫度為–40°~85°C，采用緊湊型RoHS兼容無引線4x4mm陶瓷SMT封裝。

嵌入式功能和FIFO緩存的配合使用，使終端處理器僅對要求的數(shù)據(jù)進行分析；同時在相同I2C總線上復(fù)用其他傳感器時，這有助于防止數(shù)據(jù)丟失。

MMA8450Q加速計的目標(biāo)應(yīng)用包括便攜式消費器件，如移動電話和遠程控制設(shè)備，以及智能本、電子書閱讀器（eReader）、上網(wǎng)本、筆記本電腦、PMP及PDA等。

其他應(yīng)用包括醫(yī)療應(yīng)用中的活動監(jiān)控，導(dǎo)航應(yīng)用中的航位推測輔助，車隊跟蹤中的位置檢測，以及電源工具和小型電器的安全關(guān)閉。

500伏特(V)和600V器件的高壓功率金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)系列。

這些器件使用平面條形(planar stripe)技術(shù)，能在極苛刻應(yīng)用中工作。低門電荷降低開關(guān)損耗，還提高電源能效。這些器件的額定雪崩能量在電源應(yīng)用中提供強固的工作。這些器件的優(yōu)異性能組合幫助開發(fā)更高能效的電源子系統(tǒng)。

未來我們將繼續(xù)擴充高壓功率MOSFET產(chǎn)品陣容，為消費及工業(yè)客戶提供針對性的方案。這些新器件的推出是不斷加強其業(yè)界領(lǐng)先高能效電源方案供應(yīng)商地位的又一實例。

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