單特征PD無需第二個PD控制器，從而降低了系統(tǒng)成本和復(fù)雜性。無論使用了隔離式還是非隔離式開關(guān)，開關(guān)的靈活性都可支持使用現(xiàn)成有售和專有電源解決方案。

與集成了功率MOSFET的傳統(tǒng)PD控制器不同，LT4294控制一個外部MOSFET，以大幅度地減少PD產(chǎn)生的總熱量，并最大限度提高電源效率，這在802.3bt的較高功率水平時尤其重要。

外部MOSFET架構(gòu)允許用戶選擇MOSFET的尺寸以適合應(yīng)用需求�；�LT4294的標準解決方案通常選擇低RDS(ON)30mΩ MOSFET。

保護陣列的尺寸為1.0mmx0.7mm，厚度為0.27mm，所使用的電路板空間比前一代器件少70%，體積減小了7倍。

新的4路ESD保護陣列---VBUS54FD-SD1。該器件采用超小尺寸的芯片級CLP1007-5L封裝，可用于便攜式電子產(chǎn)品。

在不犧牲性能的前提下，Vishay Semiconductors VBUS54FD-SD1的尺寸遠小于前一代元器件，具有低電容和低漏電流的特點，可保護高速數(shù)據(jù)線路免收瞬變電壓信號的影響。

Littelfuse GEN2系列碳化硅肖特基二極管具有以下關(guān)鍵優(yōu)勢：

同類最佳的電容存儲電荷以及 可忽略不計的 反向恢復(fù)功能 使其非常適合高頻電源開關(guān)應(yīng)用。 它還能確保實現(xiàn)可忽略不計的開關(guān)損耗，并降低對相反開關(guān)的應(yīng)力。

同類最佳的正向壓降可確保低傳導損耗。

175°C的最高結(jié)溫可提供更大的設(shè)計余量以及更為寬松的熱管理要求。

GEN2系列碳化硅肖特基二極管提供TO-220-2L（1,000只裝管式包裝）或TO-252-2L (DPAK)封裝（2,500只裝卷帶包裝）。