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100至410Vdc可編程輸出電壓范圍的盲配整流器產(chǎn)品

發(fā)布時間:2023/12/31 9:56:32 訪問次數(shù):60

檢測10pF以下的小電容。因10pF以下的固定電容器容量太小,用萬用表進(jìn)行測量,只能定性地檢查其是否有漏電,內(nèi)部短路或擊穿現(xiàn)象。測量時,可選用萬用表R×10k擋,用兩表筆分別任意接電容的兩個引腳,阻值應(yīng)為無窮大。若測出阻值(指針向右擺動)為零,則說明電容漏電損壞或內(nèi)部擊穿。

檢測10pF~0.01uF固定電容?捎萌f用表R×lk擋檢測固定電容器是否有充電現(xiàn)象,進(jìn)而判斷其好壞。兩個二極管的`值均為100以上,且穿透電流要小。

由于復(fù)合三極管的放大作用,把被測電容的充放電過程予以放大.使萬用表指針擺幅加大,從而便于觀察。


全新Cinterion模塊滿足對高效M2M優(yōu)化的LTE連接性不斷增長的行業(yè)需求,外形更小,性能可靠。

這一模塊讓開發(fā)人員能夠充分利用龐大的Java生態(tài)系統(tǒng)——龐大的現(xiàn)有代碼庫,并從經(jīng)驗證的軟件構(gòu)件塊受益,從而加速新產(chǎn)品開發(fā)。

2000 W前端ac-dc電源產(chǎn)品以擴(kuò)充其電源產(chǎn)品組合。PFR-2100系列是具有100至410 Vdc可編程輸出電壓范圍的盲配(blind-mate)整流器產(chǎn)品,主要特性包括通過使用集成ac、dc和I/O信號的單一連接器來實施熱插撥盲對接(blind-docking)功能。

為提高性能,器件的高邊和低邊MOSFET使用Vishay目前最好的Gen IV TrenchFET®技術(shù),來減少開關(guān)和傳導(dǎo)損耗。功率級的驅(qū)動IC兼容眾多PWM控制器,支持5V的三態(tài)PWM邏輯電平。

SiC530、SiC531、SiC532、SiC631和SiC632適用于同步降壓轉(zhuǎn)換器、DC/DC電壓穩(wěn)壓模塊、CPU和GPU的多相VRD,以及存儲器。

為在這些應(yīng)用里提高輕負(fù)載效率,器件的驅(qū)動IC帶有二極管調(diào)制模式電路和零電流檢測電路。自適應(yīng)死區(qū)時間控制有助于在所有負(fù)載點下進(jìn)一步提高效率。

KSZ8895RQXCA-TR

檢測10pF以下的小電容。因10pF以下的固定電容器容量太小,用萬用表進(jìn)行測量,只能定性地檢查其是否有漏電,內(nèi)部短路或擊穿現(xiàn)象。測量時,可選用萬用表R×10k擋,用兩表筆分別任意接電容的兩個引腳,阻值應(yīng)為無窮大。若測出阻值(指針向右擺動)為零,則說明電容漏電損壞或內(nèi)部擊穿。

檢測10pF~0.01uF固定電容?捎萌f用表R×lk擋檢測固定電容器是否有充電現(xiàn)象,進(jìn)而判斷其好壞。兩個二極管的`值均為100以上,且穿透電流要小。

由于復(fù)合三極管的放大作用,把被測電容的充放電過程予以放大.使萬用表指針擺幅加大,從而便于觀察。


全新Cinterion模塊滿足對高效M2M優(yōu)化的LTE連接性不斷增長的行業(yè)需求,外形更小,性能可靠。

這一模塊讓開發(fā)人員能夠充分利用龐大的Java生態(tài)系統(tǒng)——龐大的現(xiàn)有代碼庫,并從經(jīng)驗證的軟件構(gòu)件塊受益,從而加速新產(chǎn)品開發(fā)。

2000 W前端ac-dc電源產(chǎn)品以擴(kuò)充其電源產(chǎn)品組合。PFR-2100系列是具有100至410 Vdc可編程輸出電壓范圍的盲配(blind-mate)整流器產(chǎn)品,主要特性包括通過使用集成ac、dc和I/O信號的單一連接器來實施熱插撥盲對接(blind-docking)功能。

為提高性能,器件的高邊和低邊MOSFET使用Vishay目前最好的Gen IV TrenchFET®技術(shù),來減少開關(guān)和傳導(dǎo)損耗。功率級的驅(qū)動IC兼容眾多PWM控制器,支持5V的三態(tài)PWM邏輯電平。

SiC530、SiC531、SiC532、SiC631和SiC632適用于同步降壓轉(zhuǎn)換器、DC/DC電壓穩(wěn)壓模塊、CPU和GPU的多相VRD,以及存儲器。

為在這些應(yīng)用里提高輕負(fù)載效率,器件的驅(qū)動IC帶有二極管調(diào)制模式電路和零電流檢測電路。自適應(yīng)死區(qū)時間控制有助于在所有負(fù)載點下進(jìn)一步提高效率。

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