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存儲(chǔ)器與CPU內(nèi)核比例從而提高存儲(chǔ)器利用率降低總擁有成本

發(fā)布時(shí)間:2024/1/4 18:12:07 訪問次數(shù):56

CXL連接的存儲(chǔ)模塊包括512GB或以上存儲(chǔ)器,提供了有效的機(jī)制來增加處理內(nèi)核事務(wù)可用的存儲(chǔ)帶寬。這種新的模式轉(zhuǎn)變讓數(shù)據(jù)中心運(yùn)營商能夠根據(jù)實(shí)際應(yīng)用需求,部署更廣泛的存儲(chǔ)器與CPU內(nèi)核的比例,從而提高存儲(chǔ)器利用率,降低總擁有成本。

數(shù)據(jù)中心應(yīng)用工作負(fù)載需要未來的存儲(chǔ)器產(chǎn)品能夠提供與今天基于并行DDR的存儲(chǔ)產(chǎn)品相同的高性能帶寬、低延遲和可靠性。CXL平臺(tái)是近年來最大的行業(yè)顛覆性技術(shù)之一,為CPU帶來了新的標(biāo)準(zhǔn)串行接口,可將存儲(chǔ)器擴(kuò)展到并行DDR接口之外,為數(shù)據(jù)中心提供更高的效率和性能。

就單顆裸片而言,增加并行性能給NAND器件同時(shí)發(fā)送更多讀寫指令,從而提高順序訪問和隨機(jī)訪問的讀寫性能。

六平面架構(gòu)和全新232層NAND中相應(yīng)的獨(dú)立字線數(shù)量,也可以通過減少寫入和讀取指令沖突來提高服務(wù)質(zhì)量(QoS)。就像高速公路一樣,車道越多,擁堵就越少,特定區(qū)域的交通就越通暢。

燃?xì)鉁囟忍?不適于進(jìn)人渦輪導(dǎo)向器葉此,未用于燃燒的空氣用來在稀釋區(qū)降低燃?xì)獾臏囟?這部分空氣約占70%~80%.

火焰筒的壁面也由空氣冷卻,實(shí)現(xiàn)這一點(diǎn)是借助于一薄層冷卻空氣沿火焰筒壁的表面流動(dòng),將火焰筒壁面與熱燃?xì)飧糸_。

燃燒應(yīng)在稀釋空氣進(jìn)入火焰筒之前完成,否則,進(jìn)來的空氣會(huì)使火焰降溫,造成不完全燃燒。

計(jì)量擺動(dòng)條火焰筒壁疊層環(huán)燃燒室火焰筒冷卻,采用現(xiàn)有的最好的耐熱材料、耐高溫涂層,以及空氣冷卻火焰筒的內(nèi)壁作為它與火焰的隔離層,這樣可以使燃燒室承受主燃燒區(qū)很高的燃?xì)鉁囟取?/span>

燃燒室安裝的點(diǎn)火電嘴發(fā)出火花點(diǎn)燃油氣混合氣,使燃燒開始,而后,火焰自身維持常著不滅。

http://yushuollp.51dzw.com深圳市裕碩科技有限公司

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數(shù)據(jù)中心應(yīng)用工作負(fù)載需要未來的存儲(chǔ)器產(chǎn)品能夠提供與今天基于并行DDR的存儲(chǔ)產(chǎn)品相同的高性能帶寬、低延遲和可靠性。CXL平臺(tái)是近年來最大的行業(yè)顛覆性技術(shù)之一,為CPU帶來了新的標(biāo)準(zhǔn)串行接口,可將存儲(chǔ)器擴(kuò)展到并行DDR接口之外,為數(shù)據(jù)中心提供更高的效率和性能。

就單顆裸片而言,增加并行性能給NAND器件同時(shí)發(fā)送更多讀寫指令,從而提高順序訪問和隨機(jī)訪問的讀寫性能。

六平面架構(gòu)和全新232層NAND中相應(yīng)的獨(dú)立字線數(shù)量,也可以通過減少寫入和讀取指令沖突來提高服務(wù)質(zhì)量(QoS)。就像高速公路一樣,車道越多,擁堵就越少,特定區(qū)域的交通就越通暢。

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火焰筒的壁面也由空氣冷卻,實(shí)現(xiàn)這一點(diǎn)是借助于一薄層冷卻空氣沿火焰筒壁的表面流動(dòng),將火焰筒壁面與熱燃?xì)飧糸_。

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