X1的新型SATA III SSD控制器。X1的設(shè)計(jì)完全滿足工業(yè)領(lǐng)域需求，目標(biāo)產(chǎn)品應(yīng)用包括高可靠性的SSD, M.2及U.2模組，CFast卡和eSSD的系統(tǒng)封裝盤以及板載控制器和閃存芯片的閃存盤等。

基于先進(jìn)的以閃存子頁轉(zhuǎn)換層為基礎(chǔ)的hyMap技術(shù),X1在不需外部DRAM器件的情況下實(shí)現(xiàn)了出眾的隨機(jī)寫入性能，最小的寫入放大系數(shù)以及高耐久性。

FlashXE (耐久力擴(kuò)展)技術(shù)具備校準(zhǔn)、軟解碼的錯誤校正和錯誤預(yù)防機(jī)制等功能，適用于包括SLC、pSLC、3D MLC、3D TLC和下一代NAND flash在內(nèi)的各種閃存顆粒。

由于該硅二極管的正向壓降約為O.716V,與正常值O.7V接近,且其反向壓降為無窮大。該硅二極管的質(zhì)量基本正常。

數(shù)字電橋的測量對象為阻抗元件的參數(shù),包括交流電阻R、電感L及其品質(zhì)因數(shù)o,電容C及其損耗因數(shù)D。因此,又常稱數(shù)字電橋?yàn)閿?shù)字式LCR測量儀。

數(shù)字電橋的測量頻率一般為4Hz-8MHz。基本測量誤差為0.02%,―般均在0.1%左右。

MAX12900具有10ppm/°C電壓基準(zhǔn)，相比傳統(tǒng)方案，溫漂可降低3.5倍，有效提高了系統(tǒng)精度。

通過集成高壓LDO和電源順序控制功能，有效簡化4-20mA傳感器變送器的上電控制。器件最大耗流只有250uA，相比傳統(tǒng)方案可節(jié)省高達(dá)50%的功耗。

利用最新的MAX12900方案，將微控制器的脈寬調(diào)制數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換為2、3或4線配置的4-20mA環(huán)路電流，有效降低方案復(fù)雜度，節(jié)省系統(tǒng)成本。

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