襯底是制作集成薄膜無源元件的基礎(chǔ)。它對(duì)產(chǎn)品的成本、成品率和性能有很大的影響。集成無源工藝的襯底通常采用標(biāo)準(zhǔn)的氧化物隔離硅圓片、高電阻率硅圓片、玻璃圓片和原來為薄膜顯示器行業(yè)研制的LAP玻璃材料。圓片和LAP都利用了現(xiàn)有工藝設(shè)備能力和批量生產(chǎn)基礎(chǔ)設(shè)施的優(yōu)點(diǎn)。

對(duì)于電壓、電阻、電流三者之間的關(guān)系，如果用電壓、電流為橫坐標(biāo)和縱坐標(biāo),畫出電阻和電壓、電流之間的關(guān)系曲線,該曲線又叫作伏安特性曲線。

它高度集成，集成MOS和power path管理，并設(shè)計(jì)有內(nèi)置的過壓保護(hù)功能。

當(dāng)伏安特性曲線為直線時(shí),FL該直線通過坐標(biāo)原點(diǎn),則該電阻為線性電阻,它的斜率為電阻的倒數(shù);當(dāng)伏安特性曲線呈現(xiàn)的不是直線時(shí),則稱該電阻為非線性電阻。

BQ25606充電芯片可發(fā)揮作用，搭配簡單的電路即可提供單節(jié)電池充電和系統(tǒng)電源方案所需的全部功能。BQ25606可使用僅僅數(shù)個(gè)電阻值來設(shè)置充電電流、輸入電流限制和電池端電壓，可節(jié)省BOM成本和電路板空間。

表面貼裝技術(shù)中用的電感元件比他們的同伴——電阻和電容元件要昂貴得多。

一個(gè)典型的多層金屬化工藝能制作2或3層金屬,其底金屬層( M1 )通常充當(dāng)接地層和MIM 電容器元件的下極板。上金屬層( M2與M3 )則用作傳輸線、互連線、電感器螺旋線和電容器上極板連線。

選擇聚合物電介質(zhì)對(duì)集成無源工藝的工藝體系結(jié)構(gòu)是關(guān)鍵的，對(duì)整個(gè)工藝的費(fèi)用和性能也有著明顯的影響。在選擇夾層材料時(shí)，還要考慮聚合物電介質(zhì)材料的其他特性,包括熱穩(wěn)定性、吸潮性和彈性系數(shù)。是有代表性的制造商的已出版的數(shù)據(jù)。