影響DRAM工藝縮減的主要問題是電容。為了可靠地存儲數(shù)據(jù)，電容需要大于一定的閾值。要繼續(xù)制造出占用面積更小的電容，可以把電容做得更高，薄膜更薄，或者增加薄膜的K值。

但是問題在于，雖然從機械穩(wěn)定性的角度還可以可靠地做出更高更薄的電容，但是隨著薄膜厚度的降低，漏電會增加，而且隨著薄膜K值的增加，帶隙減小也會導(dǎo)致漏電問題。

當(dāng)前的標(biāo)準(zhǔn)是使用低漏電的鋁基氧化物薄膜和用于高k值的鋯基薄膜組成的復(fù)合膜，而且目前還不清楚是否還會有更好的替代方案。

傳統(tǒng)CPU是采用LGA 1151針腳封裝，而主板上有獨立CPU插座，這個插座不僅容易損耗，而且還很占高度，這對于生產(chǎn)一體式電腦非常不利，畢竟要整合到屏幕后背上，內(nèi)部空間簡直寸土寸金，采用類似于筆記本的整合型封裝更有利于降低高度，保證一體式電腦外觀設(shè)計更顯“瘦”。而Intel對于B后綴的產(chǎn)品市場定位在移動市場上。

而這種B后綴的處理器其實與正常型號的酷睿處理器規(guī)格參數(shù)都是一樣，i7有一款8700B，i5有兩款，分別是8500B、8400B，這些都是供OEM廠商使用，市面上應(yīng)該不會有這類型產(chǎn)品，除非哪一天華擎又要抽風(fēng)做妖板。

ADS112U04通過支持兩個差分輸入或四個單端輸入測量的靈活輸入多路復(fù)用器，提供四路模擬輸入。

集成式低噪聲PGA支持1至128的增益設(shè)置。針對噪聲環(huán)境中的工業(yè)應(yīng)用，當(dāng)采樣速率為20 SPS時，數(shù)字濾波器可同時抑制50-Hz和60-Hz噪聲。

ADS112U04集成了典型精度為0.5 °C的高線性內(nèi)部溫度傳感器，以及用于傳感器激勵的雙匹配可編程電流源(IDAC)。此器件通過一個2線UART兼容接口傳輸數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)，可最大限度地減少數(shù)字隔離通道數(shù)，從而降低成本和功耗并節(jié)約板空間。