I/O外設(shè)是一個(gè)非常寬泛的概念。對(duì)于存儲(chǔ)器外設(shè)，其特點(diǎn)是，它所占用的空間是連續(xù)的一片。

比如，SDRAM內(nèi)存就是屬于存儲(chǔ)器外設(shè)，如果其容量是8M字節(jié)，那么其占用的地址空間也會(huì)是8M的。與存儲(chǔ)器外設(shè)所不同的是，I/O外設(shè)所點(diǎn)用的地址一般都很少。

比如，一個(gè)串口芯片可能存在多個(gè)寄存器，一個(gè)用來(lái)查詢芯片的狀態(tài)，一個(gè)用來(lái)設(shè)置芯片的功能，另一個(gè)用來(lái)讀取芯片從串口線所收到的數(shù)據(jù)，最后，還有一個(gè)用來(lái)向芯片寫(xiě)數(shù)據(jù)以向串口線上發(fā)送數(shù)據(jù)。

對(duì)于這一串口芯片的寄存器，從處理器的角度來(lái)看，都是獨(dú)立的I/O端口。

由于該硅二極管的正向壓降約為O.716V,與正常值O.7V接近,且其反向壓降為無(wú)窮大。該硅二極管的質(zhì)量基本正常。

數(shù)字電橋使用方法是一種測(cè)量?jī)x器,簡(jiǎn)單地說(shuō)就是用于測(cè)量電阻、電容、電感等的儀器。數(shù)字電橋的測(cè)量對(duì)象為阻抗元件的參數(shù),包括交流電阻R、電感L及其品質(zhì)因數(shù)o,電容C及其損耗因數(shù)D。因此,又常稱數(shù)字電橋?yàn)閿?shù)字式LCR測(cè)量?jī)x。

數(shù)字電橋的測(cè)量頻率一般為4Hz-8MHz�；緶y(cè)量誤差為O.O2%,―般均在O.l%左右。

當(dāng)從處理器請(qǐng)求與主處理器進(jìn)行通信時(shí),由從處理器的離散量實(shí)現(xiàn)對(duì)主處理器中斷請(qǐng)求。

一般鍺二極管的壓降為0.15-0.3V,硅二極管的壓降為0.5-0.7V,發(fā)光二極管的壓降為1.8~2.3V。如果測(cè)量的二極管正向壓降超出這個(gè)范圍,則二極管損壞。如果反向壓降為0,則二極管被擊穿。