7nm制程硅認(rèn)證的IP核，其中包括高速序列串行解串器(SerDes)、第二代及第三代高帶寬內(nèi)存物理層(HBM Gen2/Gen3 PHY)、 芯片堆棧物理層(Die2Die PHY)、混合訊號及基礎(chǔ)型硅智財(cái)?shù)取?至于ASIC平臺處理器核心則采用ARM核心及外圍IP核。

在+200℃高溫下工作的新系列HI-TMP®鉭殼密封液鉭電容器-T34。

T34系列軸向引線通孔器件具有更高的可靠性，提高了耐機(jī)械沖擊和耐振動的能力，使用壽命更長，可用于工業(yè)和石油勘探應(yīng)用。

與采用PLCC2封裝，發(fā)射角為±60°的器件相比，Vishay今天推出的這顆器件的發(fā)射角為±62.5°，在20mA電流下的輻射功率為3.8mW，不需要另外加外置透鏡。

單相觸電是指人體站在地面或其他接地體上,人體的某一部位觸及電氣裝置的任一相所引起的觸電,這時(shí)電流就通過人體流入大地而造成單相觸電事故。

DDR4與DDR3相比，單條容量有很大提高，可以實(shí)現(xiàn)較高的容量。另外，頻率和帶寬都有明顯提高。工藝的提高也會降低工作電壓，有利于更低的功耗。

VLMU60CL..-280-125采用AlGaN技術(shù)制造，正向電流為40mA，正向電壓低至4.4V，波長從270nm到290nm。 發(fā)光二極管的性能規(guī)格使其非常適合用來凈化水和空氣、物理方式的表面殺菌、醫(yī)院消毒，以及便攜式消毒設(shè)備。

7納米ASIC除了鎖定深度學(xué)習(xí)等AI應(yīng)用，以及搶進(jìn)高效能運(yùn)算(HPC)芯片市場外，也將采用CoWoS先進(jìn)封裝技術(shù)將HBM Gen2/Gen3等內(nèi)存直接整合在芯片當(dāng)中。

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