混合模式調(diào)制方案在不降低音質(zhì)的情況下降低空耗和散熱
發(fā)布時間:2024/3/9 19:16:23 訪問次數(shù):56
從整體來看,激光刻蝕的效果很像使用很小的鉆頭對銅箔進行機械雕刻的情況。
最上層是沒有激光雕刻的地方,其邊緣非常整齊。多次反復雕刻的的部分,則出現(xiàn)了鋸齒的毛糙。猜測,如果電路板的覆銅層非常薄,可以大大減輕這種粗糙的邊緣。
IEEE802.11p相較于LTE-V2X的確具有更加成熟的客觀優(yōu)勢,但LTE-V2X優(yōu)勢是不僅能夠利用現(xiàn)有的LTE網(wǎng)絡(luò),能夠更方便的連接汽車傳感器,并且能夠與行人移動設(shè)備連接,更容易實現(xiàn)多節(jié)點互聯(lián).
LTE-V2X引入LTE D2D技術(shù)實現(xiàn)短程直通式通信,更適合低延遲,快速響應(yīng)場景需求,比如防碰撞場景等。
因此對于微電阻的測試,數(shù)字電橋就可以發(fā)揮其優(yōu)勢,如電感線圈阻值,變壓器線圈阻值等可以用數(shù)字電橋準確測量。
工程師可以通過TAS5825M專有混合模式調(diào)制方案,在不降低音質(zhì)的情況下降低空耗和散熱。
TAS3251是業(yè)內(nèi)首個集成數(shù)字輸入解決方案的放大器,支持最高2x175 W的輸出功率和性能,以上均在單一封裝內(nèi)。
比較奇怪的是這部分,突然出現(xiàn)了線徑的不均勻。猜測是原來的黑白圖上存在缺陷。在部分線路上,邊緣比較光滑,沒有毛刺。這是因為這些邊緣的方向正好與激光點運動的方向保持一致。
一般鍺二極管的壓降為0.15-0.3V,硅二極管的壓降為0.5-0.7V,發(fā)光二極管的壓降為1.8~2.3V。如果測量的二極管正向壓降超出這個范圍,則二極管損壞。如果反向壓降為0,則二極管被擊穿。
用紅表筆接二極管正極,黑表筆接二極管負極(有黑圈的一端為負極),測量其壓降.
讀數(shù),若顯示為“⒈”,則表明量程太小需要加大量程,本次電流的大小為4.64A。
由于該硅二極管的正向壓降約為O.716V,與正常值O.7V接近,且其反向壓降為無窮大。該硅二極管的質(zhì)量基本正常。

從整體來看,激光刻蝕的效果很像使用很小的鉆頭對銅箔進行機械雕刻的情況。
最上層是沒有激光雕刻的地方,其邊緣非常整齊。多次反復雕刻的的部分,則出現(xiàn)了鋸齒的毛糙。猜測,如果電路板的覆銅層非常薄,可以大大減輕這種粗糙的邊緣。
IEEE802.11p相較于LTE-V2X的確具有更加成熟的客觀優(yōu)勢,但LTE-V2X優(yōu)勢是不僅能夠利用現(xiàn)有的LTE網(wǎng)絡(luò),能夠更方便的連接汽車傳感器,并且能夠與行人移動設(shè)備連接,更容易實現(xiàn)多節(jié)點互聯(lián).
LTE-V2X引入LTE D2D技術(shù)實現(xiàn)短程直通式通信,更適合低延遲,快速響應(yīng)場景需求,比如防碰撞場景等。
因此對于微電阻的測試,數(shù)字電橋就可以發(fā)揮其優(yōu)勢,如電感線圈阻值,變壓器線圈阻值等可以用數(shù)字電橋準確測量。
工程師可以通過TAS5825M專有混合模式調(diào)制方案,在不降低音質(zhì)的情況下降低空耗和散熱。
TAS3251是業(yè)內(nèi)首個集成數(shù)字輸入解決方案的放大器,支持最高2x175 W的輸出功率和性能,以上均在單一封裝內(nèi)。
比較奇怪的是這部分,突然出現(xiàn)了線徑的不均勻。猜測是原來的黑白圖上存在缺陷。在部分線路上,邊緣比較光滑,沒有毛刺。這是因為這些邊緣的方向正好與激光點運動的方向保持一致。
一般鍺二極管的壓降為0.15-0.3V,硅二極管的壓降為0.5-0.7V,發(fā)光二極管的壓降為1.8~2.3V。如果測量的二極管正向壓降超出這個范圍,則二極管損壞。如果反向壓降為0,則二極管被擊穿。
用紅表筆接二極管正極,黑表筆接二極管負極(有黑圈的一端為負極),測量其壓降.
讀數(shù),若顯示為“⒈”,則表明量程太小需要加大量程,本次電流的大小為4.64A。
由于該硅二極管的正向壓降約為O.716V,與正常值O.7V接近,且其反向壓降為無窮大。該硅二極管的質(zhì)量基本正常。

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