兩對開關(guān)管輪流通/斷在變壓器原邊線圈中形成正/負(fù)交變脈沖電流

發(fā)布時間:2024/3/13 20:33:09 訪問次數(shù):51

一款TOLT封裝形式的SuperGaN®FET.新產(chǎn)品TP65H070G4RS晶體管的導(dǎo)通電阻為72毫歐,為業(yè)界首個采用JEDEC標(biāo)準(zhǔn)(MO-332)TOLT封裝的頂部散熱型表面貼裝氮化鎵器件。

TP65H070G4RS采用Transphorm強(qiáng)大的高性能650V常閉型d-mode氮化鎵平臺,該平臺具有更低的柵極電荷、輸出電容、交叉損耗、反向恢復(fù)電荷和動態(tài)電阻，從而效率優(yōu)于硅、碳化硅和其他氮化鎵產(chǎn)品。

SuperGaN平臺的優(yōu)勢與TOLT封裝更好的散熱性及系統(tǒng)組裝靈活性相結(jié)合，為尋求推出具有更高功率密度和效率、總體功率系統(tǒng)成本更低的電源系統(tǒng)客戶提供了高性能、高可靠性的GaN解決方案。

高頻變壓器磁芯利用率高(與單端電路相比)、電源電壓利用率高(與后面要敘述的半橋電路相比)、輸出功率大、兩管基極均為低電平，驅(qū)動電路簡單。

變壓器繞組利用率低、對開關(guān)管的耐壓要求比較高(至少是電源電壓的兩倍)。

由四只相同的開關(guān)管接成電橋結(jié)構(gòu)驅(qū)動脈沖變壓器原邊。

由同一組信號驅(qū)動，同時導(dǎo)通/關(guān)端;T2、T3為另一對，由另一組信號驅(qū)動，同時導(dǎo)通/關(guān)端。兩對開關(guān)管輪流通/斷，在變壓器原邊線圈中形成正/負(fù)交變的脈沖電流。

該參考設(shè)計是第二款使用WT7162RHUG24A的QRF拓?fù)銾SB-C PD適配器控制板。在早些時候，發(fā)布了65瓦的適配器控制電路。

兩款適配器控制板采用同一個SuperGaN SiP，與競爭方案相比，客戶能夠以更優(yōu)的成本實現(xiàn)100瓦產(chǎn)品設(shè)計，從而實現(xiàn)規(guī)模效益。

65瓦功率級SuperGaN SiP同樣滿足100瓦功率級設(shè)計的性能和散熱要求。

在AC-DC電源市場的市占率正不斷增長,確保為市場提供最好,最實用的解決方案,對我們來說最為重要。

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