CRM21046芯片是一款完全自主研發(fā)的車載77GHz Radar MMIC芯片，主要應(yīng)用于傳統(tǒng)雷達(dá)、4D成像雷達(dá)、分布式雷達(dá)等多用途毫米波雷達(dá)領(lǐng)域。

此款芯片具備國(guó)際一流的射頻性能，同時(shí)首創(chuàng)性地采用了4發(fā)6收的通道方案，實(shí)現(xiàn)了當(dāng)前市場(chǎng)上可量產(chǎn)的最大單芯片通道數(shù)。

在實(shí)現(xiàn)諸多性能提升的同時(shí)，CRM21046芯片有效保證了功耗和散熱，降低了成本，填補(bǔ)了國(guó)產(chǎn)高性能MMIC產(chǎn)品的空白，為客戶做出更強(qiáng)競(jìng)爭(zhēng)力的產(chǎn)品提供了新選擇。

對(duì)更高效利用能源的推動(dòng)、更嚴(yán)格的法規(guī)要求以及低溫運(yùn)行的技術(shù)優(yōu)勢(shì)，所有這些都為近來降低電機(jī)功耗的舉措提供了支持。雖然硅MOSFET等開關(guān)技術(shù)已得到廣泛應(yīng)用，但它們往往無法滿足關(guān)鍵變頻器應(yīng)用對(duì)性能和效率的更高要求。

氮化鎵(GaN)是一種寬帶隙(WBG)FET 器件技術(shù)，在成本、性能、可靠性和易用性方面都有很大改進(jìn)和進(jìn)步，設(shè)計(jì)人員可以利用GaN器件達(dá)成上述目標(biāo)。GaN器件現(xiàn)在已是主流，并已成為中等功率水平變頻器的首選。

最新一代GaN FET如何幫助實(shí)現(xiàn)高性能電機(jī)變頻器。EPC提供了評(píng)估板，幫助設(shè)計(jì)人員熟悉GaN器件的特性并加速設(shè)計(jì)過程。

Siliconix SiZF4800LDT適用于工業(yè)和通信應(yīng)用功率轉(zhuǎn)換，在提高功率密度和能效的同時(shí)，增強(qiáng)熱性能，減少元器件數(shù)量并簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)。

為提高功率密度，該MOSFET 在4.5V條件下導(dǎo)通電阻典型值降至18.5 m，達(dá)到業(yè)內(nèi)先進(jìn)水平。比相同封裝尺寸最接近的競(jìng)品器件低16%。

SiZF4800LDT低導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積，即MOSFET功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用重要優(yōu)值系數(shù)（FOM）為131m*nC，導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積提高了高頻開關(guān)應(yīng)用的效率。

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