超級電容以前主要用于大功率電源和大型工業(yè)與消費(fèi)類電源設(shè)備，如今在各種尺寸的產(chǎn)品、特別是便攜式設(shè)備中也找到了用武之地。超級電容以高達(dá)數(shù)千法拉的電容值和快速充放電速率而聞名于世。

由于能夠長時間存儲大量的電能，超級電容表現(xiàn)得更像是電池而不是一個標(biāo)準(zhǔn)電容。事實(shí)上，隨著技術(shù)的進(jìn)步，它們將替代眾多產(chǎn)品中的可充電電池，從計算機(jī)、數(shù)碼相機(jī)、手機(jī)到其它手持設(shè)備。

對于普通的電解電容來說，電容值和/或電壓值越大，整個封裝也越大。電解電容通常提供微法拉數(shù)量級的電容值，從約0.1uF到約1F，其電壓標(biāo)稱值最高可達(dá)1kVdc。一般來說，額定電壓越高，電容值就越小，而電容值越大，封裝也就越大，而且工作電壓也可能會降低。

LED光源器件的封裝暖白發(fā)光效率已達(dá)到140lm/W左右、封裝冷白發(fā)光效率已達(dá)到170lm/W左右，國際主流實(shí)驗(yàn)室水平已達(dá)到230lm/W。

輸入電壓較低時就達(dá)到了VEN的使能閾值，使能芯片輸出，此時輸出受到輸入波動的影響且上電緩慢，影響了后級電路的工作穩(wěn)定性.

為了提高發(fā)光效率，研究人員在提升LED內(nèi)量子效率及光提取效率方面做了大量的研發(fā)工作，提出了 PSS 襯底外延片、粗化外延表面、金屬鍵合剝離、倒裝芯片結(jié)構(gòu)、垂直芯片結(jié)構(gòu)等技術(shù)，使得LED發(fā)光效率得到了大幅提升。

輸入電壓VIN上升到70%~80%的時候，VEN才到達(dá)使能閾值，此時芯片輸出摒除了輸入電源的不穩(wěn)定階段，上電迅速，輸出平穩(wěn)，減小了輸入電壓波動的影響.

簡單地說,超級電容是一種非常大的極化電解質(zhì)電容。這里的‘大’指的是容量，而不是它們的物理尺寸。

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