在LE信號上升沿將數(shù)據(jù)輸入端輸入BCD數(shù)鎖存在片內(nèi)寄存器中
發(fā)布時間:2024/3/28 23:00:18 訪問次數(shù):60
3E* 1/4磚高級總線轉(zhuǎn)換器獲獎產(chǎn)品現(xiàn)已升級為集成突發(fā)模式工作,這使該模塊能夠在最高一秒鐘的短時間內(nèi)處理1079W的峰值功率。
對于面向信息與通信技術(shù)(ICT)應(yīng)用(包括數(shù)據(jù)通信和服務(wù)器及存儲系統(tǒng))開發(fā)設(shè)備的系統(tǒng)架構(gòu)師來說,BMR458為其提供了行業(yè)領(lǐng)先的性能。
模塊對采用ICT行業(yè)中常用的多電芯電池組或整流器供電的、采用中間總線轉(zhuǎn)換(IBC)或動態(tài)總線電壓(DBV)架構(gòu)的大功率應(yīng)用來說非常適用。
HS4xD可同步管理通信棧、文件系統(tǒng)支持等控制任務(wù),同時還能提供信號處理帶寬,支持音頻解碼、后期處理和基于語音的人機接口(HMI)處理。
從性能上對比,HS4X系列/HS4xD系列處理器相對于Cortex-A9處理器性能提升45%,功耗減半;相對于MIPS InterAptiv或者Cortex-A7處理器性能翻倍,功耗降低20%;相對于Cadence Tensilica處理器性能提升2.5倍。
LE是鎖存使能輸入端,在LE信號的上升沿將數(shù)據(jù)輸入端輸入的BCD數(shù)鎖存在片內(nèi)的寄存器中,并將該數(shù)譯碼后顯示出來。如果輸入的不是十進制數(shù),顯示器熄滅。
該器件采用占板面積為3mmx5mm的緊湊型封裝,每通道可提供高達3.5A的連續(xù)輸出電流,或產(chǎn)生高達7A的兩相單輸出。
ARC HS4X系列處理器采用了ARCv2指令集架構(gòu)(ISA),可實現(xiàn)低功耗、小體積硅封裝的高性能嵌入式設(shè)計。
3E* 1/4磚高級總線轉(zhuǎn)換器獲獎產(chǎn)品現(xiàn)已升級為集成突發(fā)模式工作,這使該模塊能夠在最高一秒鐘的短時間內(nèi)處理1079W的峰值功率。
對于面向信息與通信技術(shù)(ICT)應(yīng)用(包括數(shù)據(jù)通信和服務(wù)器及存儲系統(tǒng))開發(fā)設(shè)備的系統(tǒng)架構(gòu)師來說,BMR458為其提供了行業(yè)領(lǐng)先的性能。
模塊對采用ICT行業(yè)中常用的多電芯電池組或整流器供電的、采用中間總線轉(zhuǎn)換(IBC)或動態(tài)總線電壓(DBV)架構(gòu)的大功率應(yīng)用來說非常適用。
HS4xD可同步管理通信棧、文件系統(tǒng)支持等控制任務(wù),同時還能提供信號處理帶寬,支持音頻解碼、后期處理和基于語音的人機接口(HMI)處理。
從性能上對比,HS4X系列/HS4xD系列處理器相對于Cortex-A9處理器性能提升45%,功耗減半;相對于MIPS InterAptiv或者Cortex-A7處理器性能翻倍,功耗降低20%;相對于Cadence Tensilica處理器性能提升2.5倍。
LE是鎖存使能輸入端,在LE信號的上升沿將數(shù)據(jù)輸入端輸入的BCD數(shù)鎖存在片內(nèi)的寄存器中,并將該數(shù)譯碼后顯示出來。如果輸入的不是十進制數(shù),顯示器熄滅。
該器件采用占板面積為3mmx5mm的緊湊型封裝,每通道可提供高達3.5A的連續(xù)輸出電流,或產(chǎn)生高達7A的兩相單輸出。
ARC HS4X系列處理器采用了ARCv2指令集架構(gòu)(ISA),可實現(xiàn)低功耗、小體積硅封裝的高性能嵌入式設(shè)計。
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