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新產(chǎn)品可以減少數(shù)據(jù)傳輸量加快決策速度提高傳感器的功能性

發(fā)布時(shí)間:2024/6/8 11:53:05 訪問(wèn)次數(shù):64

Onlife時(shí)代接受互聯(lián)技術(shù)提供持續(xù)幫助的生活,享受自然、透明的人機(jī)交互和無(wú)縫轉(zhuǎn)換,覺(jué)察不到在線和離線的區(qū)別。

雖然在技術(shù)上具有挑戰(zhàn)性,但在同一顆硅片上集成傳感器與ISPU,真地把基于傳感器的系統(tǒng)從在線體驗(yàn)提升到Onlife體驗(yàn)。新產(chǎn)品可以減少數(shù)據(jù)傳輸量,加快決策速度,從而提高傳感器的功能性,而本地保存數(shù)據(jù)可以增強(qiáng)隱私保護(hù)。新產(chǎn)品還降低了尺寸和功耗,有助于降低系統(tǒng)成本。

此外,用商用AI模型寫(xiě)ISPU算法很簡(jiǎn)單,基本上支持所有的主要的AI工具。

隨著數(shù)字隔離器在工業(yè)和汽車(chē)應(yīng)用中的日益普及,設(shè)計(jì)人員會(huì)面對(duì)眾多的可用選件,如何為系統(tǒng)選擇合適的設(shè)備,面對(duì)這些挑戰(zhàn).

第二代高壓基礎(chǔ)器件的RDSon阻值降低高達(dá)50%,為某些關(guān)鍵應(yīng)用提供更好的選擇——特別適合應(yīng)用在需要縮小器件尺寸并降低單位成本的系統(tǒng)中。

表面不應(yīng)有氧化痕跡或'助焊劑,另外DIP等插件的引腳不應(yīng)有擦花的痕跡,即使有擦痕也應(yīng)是整齊,同方向的且金屬暴露處光潔無(wú)氧化。

大多數(shù)數(shù)字隔離器在設(shè)計(jì)時(shí)都考慮了特定的系統(tǒng)要求和應(yīng)用,使得設(shè)計(jì)人員必須對(duì)不計(jì)其數(shù)的規(guī)格和功能進(jìn)行分類(lèi),確保他們選擇的設(shè)備能夠滿足系統(tǒng)要求。

將晶圓中植入離子,生成相應(yīng)的P,N類(lèi)半導(dǎo)體,具體工藝是是從硅片上暴露的區(qū)域開(kāi)始,放入化學(xué)離電子元器件子混合液中,這一工藝將改變攙雜區(qū)的導(dǎo)電方式,使每個(gè)晶體管可以通,斷,或攜帶數(shù)據(jù),簡(jiǎn)單的芯片可以只用一層,但復(fù)雜的芯片通常有很多層,這時(shí)候?qū)⑦@一流程不斷的重復(fù),不同層可通過(guò)開(kāi)啟窗口聯(lián)接起來(lái).

與現(xiàn)有VGA傳感器相比,該芯片的像素?cái)?shù)量提高了75%,而且芯片面積更小。

深圳市裕碩科技有限公司http://yushuo.51dzw.com

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表面不應(yīng)有氧化痕跡或'助焊劑,另外DIP等插件的引腳不應(yīng)有擦花的痕跡,即使有擦痕也應(yīng)是整齊,同方向的且金屬暴露處光潔無(wú)氧化。

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