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元件層面重新調(diào)整電阻分量實(shí)現(xiàn)超低噪聲等效輸入噪聲電壓密度

發(fā)布時(shí)間:2024/6/9 22:29:56 訪問次數(shù):40

不同直徑的可互換噴嘴和靈活可調(diào)節(jié)的柱塞沖程,確保了針對(duì)各種大小尺寸的膠滴,進(jìn)行精確可靠地噴膠。

它們可實(shí)現(xiàn)低至1nl的體積,相當(dāng)于250µm或更小的液滴直徑的噴膠。

DELO-DOT PN5 LV的尺寸為68mm×19mm×90mm(寬x深x高),結(jié)構(gòu)緊湊,只需很小的空間即可安裝在生產(chǎn)系統(tǒng)里。它重量?jī)H240克,輕巧的結(jié)構(gòu)令閥門可極快地加速,同時(shí)具備更小的軸和驅(qū)動(dòng)構(gòu)造。它還支持高速工藝,連續(xù)點(diǎn)膠頻率可達(dá)250Hz。

DELO-DOT PN5 LV中的驅(qū)動(dòng)器可運(yùn)行10億周期以上,達(dá)到最高的堅(jiān)固性標(biāo)準(zhǔn)。

還會(huì)產(chǎn)生少量的電源調(diào)制噪聲,如測(cè)量的電源調(diào)制比(PSMR)。該P(yáng)SMR是對(duì)調(diào)制到RF發(fā)射載波上的缺陷(紋波和噪聲)的測(cè)量。

可以使用非隔離的RF負(fù)載點(diǎn)調(diào)節(jié)器(PMIC中的RF PoL)來減少或消除這種噪聲。

實(shí)施RF PoL/PMIC可為RFFE應(yīng)用帶來最佳運(yùn)行所需的高精度電壓軌、快速動(dòng)態(tài)響應(yīng)負(fù)載,和低噪聲。

對(duì)于RF功率放大器應(yīng)用而言,純凈的發(fā)射器信號(hào)并避免電源干擾非常重要,以免在載波頻率周圍產(chǎn)生尖峰(其他線路輻射)。

可變電容器的主要作用是改變和調(diào)節(jié)回路的諧振頻率,廣泛應(yīng)用在調(diào)諧放大、選頻振蕩等電路中。

新產(chǎn)品不僅利用ROHM自有的工藝技術(shù)改善了常見的閃爍噪聲*2,還通過從元件層面重新調(diào)整電阻分量,實(shí)現(xiàn)了超低噪聲,等效輸入噪聲電壓密度*3 僅為12nV/√Hz。

此外,新產(chǎn)品采用了WLCSP(Wafer Level Chip Size Package)封裝,該封裝利用ROHM自有的封裝技術(shù)將引腳間距減小到了0.3mm。與以往產(chǎn)品相比,尺寸減小了約69%;與以往的小型產(chǎn)品相比,尺寸減小了約46%。

深圳市裕碩科技有限公司http://yushuo.51dzw.com

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它們可實(shí)現(xiàn)低至1nl的體積,相當(dāng)于250µm或更小的液滴直徑的噴膠。

DELO-DOT PN5 LV的尺寸為68mm×19mm×90mm(寬x深x高),結(jié)構(gòu)緊湊,只需很小的空間即可安裝在生產(chǎn)系統(tǒng)里。它重量?jī)H240克,輕巧的結(jié)構(gòu)令閥門可極快地加速,同時(shí)具備更小的軸和驅(qū)動(dòng)構(gòu)造。它還支持高速工藝,連續(xù)點(diǎn)膠頻率可達(dá)250Hz。

DELO-DOT PN5 LV中的驅(qū)動(dòng)器可運(yùn)行10億周期以上,達(dá)到最高的堅(jiān)固性標(biāo)準(zhǔn)。

還會(huì)產(chǎn)生少量的電源調(diào)制噪聲,如測(cè)量的電源調(diào)制比(PSMR)。該P(yáng)SMR是對(duì)調(diào)制到RF發(fā)射載波上的缺陷(紋波和噪聲)的測(cè)量。

可以使用非隔離的RF負(fù)載點(diǎn)調(diào)節(jié)器(PMIC中的RF PoL)來減少或消除這種噪聲。

實(shí)施RF PoL/PMIC可為RFFE應(yīng)用帶來最佳運(yùn)行所需的高精度電壓軌、快速動(dòng)態(tài)響應(yīng)負(fù)載,和低噪聲。

對(duì)于RF功率放大器應(yīng)用而言,純凈的發(fā)射器信號(hào)并避免電源干擾非常重要,以免在載波頻率周圍產(chǎn)生尖峰(其他線路輻射)。

可變電容器的主要作用是改變和調(diào)節(jié)回路的諧振頻率,廣泛應(yīng)用在調(diào)諧放大、選頻振蕩等電路中。

新產(chǎn)品不僅利用ROHM自有的工藝技術(shù)改善了常見的閃爍噪聲*2,還通過從元件層面重新調(diào)整電阻分量,實(shí)現(xiàn)了超低噪聲,等效輸入噪聲電壓密度*3 僅為12nV/√Hz。

此外,新產(chǎn)品采用了WLCSP(Wafer Level Chip Size Package)封裝,該封裝利用ROHM自有的封裝技術(shù)將引腳間距減小到了0.3mm。與以往產(chǎn)品相比,尺寸減小了約69%;與以往的小型產(chǎn)品相比,尺寸減小了約46%。

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