用于下一代服務(wù)器的NearStack PCIe連接器系統(tǒng)和電纜組件。

NearStack PCIe通過(guò)與開源計(jì)算項(xiàng)目（OCP）的成員合作開發(fā)，取代傳統(tǒng)的插卡式電纜解決方案，以優(yōu)化信號(hào)完整性并提高系統(tǒng)性能。

NearStack PCIe的一個(gè)突出特性是直接接觸的屏蔽雙導(dǎo)體終端，不再需要在電纜組件中使用插板卡。

與通過(guò)將電纜手工焊接到PCB焊盤卡上進(jìn)行端接的競(jìng)爭(zhēng)產(chǎn)品電纜跳線不同，NearStack則使用全自動(dòng)的電纜端接工藝。

這種高精度工藝提高了制造效率、可重復(fù)性和信號(hào)完整性。

4.7千歐的電阻可以地與LED并聯(lián)而稍微降低導(dǎo)通啟電壓。

XP018高壓CMOS半導(dǎo)體制造平臺(tái)，增加全新40V和60V高壓基礎(chǔ)器件——這些器件具有可擴(kuò)展SOA，提高運(yùn)行穩(wěn)健性。

與上一代平臺(tái)相比，此次更新的第二代高壓基礎(chǔ)器件的RDSon阻值降低高達(dá)50%，為某些關(guān)鍵應(yīng)用提供更好的選擇——特別適合應(yīng)用在需要縮小器件尺寸并降低單位成本的系統(tǒng)中。

薄膜電容器適合能量和功率密度高的直流支撐應(yīng)用，額定電壓范圍為500V DC至1600V DC，電容值范圍為0.47µF至170µF，最高工作溫度達(dá)105℃。這些元件堅(jiān)固耐用，具有自愈特點(diǎn)，符合RoHS要求，在額定電壓和70℃工作溫度條件下的典型壽命為95,000小時(shí)。

PLT5 522FA_P-M12半導(dǎo)體激光器比氬離子激光器更經(jīng)濟(jì)、體積更小、工作壽命更長(zhǎng)，且不需要繁瑣的水冷機(jī)制。

一個(gè)單模激光器的重量?jī)H為幾克，而傳統(tǒng)的氬離子激光器的冷卻和電源通常重達(dá)數(shù)公斤。

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