PDN在輸入電源和PMIC之間需要有一個串聯(lián)的外部功率FET。

PMIC通過OVPGDRV引腳實現(xiàn)FET前后的電壓監(jiān)控，當檢測到大于6V的過壓事件時，F(xiàn)ET可以在輸入電源上快速隔離PMIC，以保護系統(tǒng)免受損壞。

這包括來自的所有電源軌場效應(yīng)管輸出信號，F(xiàn)ET上游連接的任何電源都不受過壓事件的保護。

MCU和主要I/O域供電的負載開關(guān)，分立式降壓電源DDR和為EFUSE供電的分立式穩(wěn)壓器LDO都連接到了FET之后，這樣可以延長對這些處理器域和分立電源的過電壓保護能力。

BT151-1000RT

當放大器用于執(zhí)行信號電壓調(diào)節(jié)時，噪聲被回饋到放大器的輸入端。

目前有兩個主要噪聲源：放大器本身的輸入?yún)⒖荚肼暫虯DC的按比例縮小的輸入?yún)⒖荚肼�。這兩個噪聲源以二次方式組合在一起。

放大器的噪聲由ADC的輸入帶寬以及放大器和ADC輸入之間的抗混疊濾波器濾除。

輸入數(shù)量、所需尺寸和正確采樣速度的模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)。特別是對于處理寬電壓擺幅的系統(tǒng)設(shè)計人員來說，人們擔(dān)心縮小輸入信號以驅(qū)動ADC的滿量程范圍會顯著降低信噪比(SNR)。

同步整流是采用通態(tài)電阻極低的專用功率MOSFET，來取代整流二極管以降低整流損耗的一項新技術(shù)。它能大大提高DC/DC變換器的效率并且不存在由肖特基勢壘電壓而造成的死區(qū)電壓。

同步整流的基本電路結(jié)構(gòu)功率MOSFET屬于電壓控制型器件，它在導(dǎo)通時的伏安特性呈線性關(guān)系。

使用模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)進行設(shè)計時，一個典型的誤解是，縮小輸入信號以驅(qū)動ADC的滿量程范圍會顯著降低信噪比(SNR)。對于使用寬電壓擺幅的系統(tǒng)設(shè)計人員來說，這一點尤其值得關(guān)注。使問題更加復(fù)雜的是，與高壓電源相比，用于低壓電源(5V或更低)的ADC產(chǎn)品范圍也廣泛得多。

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