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TMS320C54xDSP在線(xiàn)燒寫(xiě)FLASH存儲(chǔ)器并實(shí)現(xiàn)自舉引導(dǎo)的方法

發(fā)布時(shí)間:2007/4/23 0:00:00 訪問(wèn)次數(shù):2687

    摘要:通過(guò)一個(gè)完整的實(shí)例,詳細(xì)闡述了TMS320C54x系列DSP芯片在線(xiàn)燒寫(xiě)FLASH存儲(chǔ)器。并實(shí)現(xiàn)自舉引導(dǎo)的方法。給出了硬件連接方案和完整的C語(yǔ)言燒寫(xiě)程序。

     關(guān)鍵詞:TMS320C54x FLASH 燒寫(xiě) 自舉引導(dǎo)

在DSP系統(tǒng)中通常貼片式FLASH存儲(chǔ)器保存程序,并且在上電或復(fù)位時(shí)再將存儲(chǔ)在FLASH中的程序搬移到DSP片內(nèi)或者片外的RAM中全速運(yùn)行。這個(gè)“程序搬移”的過(guò)程叫做自舉加載。

本文以TMS320C5416 DSP對(duì)MBM29LV400BC存儲(chǔ)器的操作為例,詳細(xì)闡述了在線(xiàn)燒寫(xiě)FLASH并實(shí)現(xiàn)自舉加載的方法。該方法適合于大多數(shù)C54x系列DSP對(duì)符合JEDEC標(biāo)準(zhǔn)的FLASH的操作。為便于讀者使用,本文的程序全部采用C語(yǔ)言編寫(xiě)。

1 TMS320C5416與MBM29LV400BC的硬件接口

MBM29LV400BC與TMS320C5416的接口很方便,前者只需作為后者的外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器與其進(jìn)行連接,而中間的邏輯電路采用CPLD實(shí)現(xiàn)即可。這里使用16位數(shù)據(jù)寬度,所以BYTE引腳通過(guò)一個(gè)上拉電阻接到3.3V電源。連接電路原理如圖1所示。相應(yīng)的VHDL語(yǔ)言程序?yàn)椋?/P>

FLASH_CE<=DSP_DS;

FLASH_OE<=(NOT DSP_R_W)OR DSP_MSTRB;

FLASH_WE<=DSP_R_W OR DSP_MSTRB;

2 TMS320C5416自舉引導(dǎo)過(guò)程

當(dāng)MP/MC=0時(shí),TMS320C5416被置于微計(jì)算機(jī)模式。上電或復(fù)位時(shí),程序指針指向片內(nèi)ROM區(qū)的FF80H單元,該單元放置了一條跳轉(zhuǎn)指令,使程序跳轉(zhuǎn)到F800H單元。而F800H就是自舉加載器(Bootloader)引導(dǎo)程序的起始單元。

Bootloader的任務(wù)就是將存放在外部FLASH中的程序“搬運(yùn)”到DSP內(nèi)部或外部的RAM區(qū),“搬運(yùn)”完后跳轉(zhuǎn)到程序入口處執(zhí)行。存放在外部FLASH中的用戶(hù)程序與一些必要的引導(dǎo)信息組合在一起,稱(chēng)為Boot表示(自舉表)。16位模式下通用的Boot表結(jié)構(gòu)如表1所示。

表1 16位模式下通用Boot表結(jié)構(gòu)

序    號(hào)內(nèi)容及意義
110AA(16位存儲(chǔ)格式)
2SWWSR值
3BSCR值
4Boot之后程序執(zhí)行入口偏移地址XPC
5Boot之后程序執(zhí)行入口地址PC
6第一個(gè)程序段的長(zhǎng)度
7第一個(gè)程序段要裝入的內(nèi)部RAM區(qū)域移地址
8第一個(gè)程序段要裝入的內(nèi)部RAM區(qū)地址
9第一個(gè)程序段代碼…
10第二個(gè)程序段的長(zhǎng)度
11第二個(gè)程序段要裝入的內(nèi)部RAM區(qū)偏移地址
12第二個(gè)程序段要裝入的內(nèi)部RAM區(qū)地址
13第二個(gè)程序段代碼…
14Boot表結(jié)構(gòu)標(biāo)志:0x0000

TMS320C5416提供了多種自舉加載的方法。在此使用并行加載模式,因此令I(lǐng)NT2=1和INT3=1。在并行模式下,自舉表放在外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器的32K高端地址區(qū)間:8000H~0FFFH。自舉表首地址放在數(shù)據(jù)空間的0FFFFH單元。加載時(shí),Bootloader讀取數(shù)據(jù)空間的0FFFFH單元中的內(nèi)容,將其作為首地址,從該地址開(kāi)始復(fù)制數(shù)據(jù)到內(nèi)部的程序空間。復(fù)制完畢后,Bootloader便跳轉(zhuǎn)到指定的程序入口地址,開(kāi)始執(zhí)行用戶(hù)程序。

3 MBM29LV400BC的操作命

    摘要:通過(guò)一個(gè)完整的實(shí)例,詳細(xì)闡述了TMS320C54x系列DSP芯片在線(xiàn)燒寫(xiě)FLASH存儲(chǔ)器。并實(shí)現(xiàn)自舉引導(dǎo)的方法。給出了硬件連接方案和完整的C語(yǔ)言燒寫(xiě)程序。

     關(guān)鍵詞:TMS320C54x FLASH 燒寫(xiě) 自舉引導(dǎo)

在DSP系統(tǒng)中通常貼片式FLASH存儲(chǔ)器保存程序,并且在上電或復(fù)位時(shí)再將存儲(chǔ)在FLASH中的程序搬移到DSP片內(nèi)或者片外的RAM中全速運(yùn)行。這個(gè)“程序搬移”的過(guò)程叫做自舉加載。

本文以TMS320C5416 DSP對(duì)MBM29LV400BC存儲(chǔ)器的操作為例,詳細(xì)闡述了在線(xiàn)燒寫(xiě)FLASH并實(shí)現(xiàn)自舉加載的方法。該方法適合于大多數(shù)C54x系列DSP對(duì)符合JEDEC標(biāo)準(zhǔn)的FLASH的操作。為便于讀者使用,本文的程序全部采用C語(yǔ)言編寫(xiě)。

1 TMS320C5416與MBM29LV400BC的硬件接口

MBM29LV400BC與TMS320C5416的接口很方便,前者只需作為后者的外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器與其進(jìn)行連接,而中間的邏輯電路采用CPLD實(shí)現(xiàn)即可。這里使用16位數(shù)據(jù)寬度,所以BYTE引腳通過(guò)一個(gè)上拉電阻接到3.3V電源。連接電路原理如圖1所示。相應(yīng)的VHDL語(yǔ)言程序?yàn)椋?/P>

FLASH_CE<=DSP_DS;

FLASH_OE<=(NOT DSP_R_W)OR DSP_MSTRB;

FLASH_WE<=DSP_R_W OR DSP_MSTRB;

2 TMS320C5416自舉引導(dǎo)過(guò)程

當(dāng)MP/MC=0時(shí),TMS320C5416被置于微計(jì)算機(jī)模式。上電或復(fù)位時(shí),程序指針指向片內(nèi)ROM區(qū)的FF80H單元,該單元放置了一條跳轉(zhuǎn)指令,使程序跳轉(zhuǎn)到F800H單元。而F800H就是自舉加載器(Bootloader)引導(dǎo)程序的起始單元。

Bootloader的任務(wù)就是將存放在外部FLASH中的程序“搬運(yùn)”到DSP內(nèi)部或外部的RAM區(qū),“搬運(yùn)”完后跳轉(zhuǎn)到程序入口處執(zhí)行。存放在外部FLASH中的用戶(hù)程序與一些必要的引導(dǎo)信息組合在一起,稱(chēng)為Boot表示(自舉表)。16位模式下通用的Boot表結(jié)構(gòu)如表1所示。

表1 16位模式下通用Boot表結(jié)構(gòu)

序    號(hào)內(nèi)容及意義
110AA(16位存儲(chǔ)格式)
2SWWSR值
3BSCR值
4Boot之后程序執(zhí)行入口偏移地址XPC
5Boot之后程序執(zhí)行入口地址PC
6第一個(gè)程序段的長(zhǎng)度
7第一個(gè)程序段要裝入的內(nèi)部RAM區(qū)域移地址
8第一個(gè)程序段要裝入的內(nèi)部RAM區(qū)地址
9第一個(gè)程序段代碼…
10第二個(gè)程序段的長(zhǎng)度
11第二個(gè)程序段要裝入的內(nèi)部RAM區(qū)偏移地址
12第二個(gè)程序段要裝入的內(nèi)部RAM區(qū)地址
13第二個(gè)程序段代碼…
14Boot表結(jié)構(gòu)標(biāo)志:0x0000

TMS320C5416提供了多種自舉加載的方法。在此使用并行加載模式,因此令I(lǐng)NT2=1和INT3=1。在并行模式下,自舉表放在外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器的32K高端地址區(qū)間:8000H~0FFFH。自舉表首地址放在數(shù)據(jù)空間的0FFFFH單元。加載時(shí),Bootloader讀取數(shù)據(jù)空間的0FFFFH單元中的內(nèi)容,將其作為首地址,從該地址開(kāi)始復(fù)制數(shù)據(jù)到內(nèi)部的程序空間。復(fù)制完畢后,Bootloader便跳轉(zhuǎn)到指定的程序入口地址,開(kāi)始執(zhí)行用戶(hù)程序。

3 MBM29LV400BC的操作命

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