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具有±15kV ESD保護(hù)的并行端口終端網(wǎng)絡(luò)器件

發(fā)布時(shí)間:2007/9/10 0:00:00 訪問次數(shù):774

計(jì)算機(jī)和外設(shè)(如打印機(jī))之間的一種邊接是并行端口。為了提供雙向和快速通信,并行端口接口已有增強(qiáng)型。新接口在IEEE1284中已詳述,稱之為增強(qiáng)并行端口(EPP)或擴(kuò)展性能端口(ECP)。新外設(shè)如遠(yuǎn)程存儲(chǔ)驅(qū)動(dòng)、掃描儀、MP3播放機(jī)和機(jī)頂盒,現(xiàn)已連接到并行端口。

EMI標(biāo)準(zhǔn)

這種增強(qiáng)接口可處理數(shù)據(jù)交換高達(dá)2Mbytes/s。此頻率需求新設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)以滿足電磁和射頻干擾(EMI&RFI)要求(如FCC Part 15和CISPR 22版)。除EMI和RFI測(cè)試外,另一個(gè)在歐洲出現(xiàn)的標(biāo)準(zhǔn),要求計(jì)算裝置進(jìn)行靜電釋放(ESD)靈敏度測(cè)試。

ST1284特性

ST1284是符合IEEE1284標(biāo)準(zhǔn)的高集成終端網(wǎng)絡(luò)器件。它濾波PC內(nèi)所產(chǎn)生的高頻輻射,使可接受電平有較小的干擾。它的ESD保護(hù)高達(dá)±15kV,符合IEC61000-4-2所確定的最高電平。ST1284特性如下:

EMI濾波

·FCCPart 15Class A&B

·CISPR 22版Class A&B

阻抗終端

·至匹配電纜阻抗33Ω

ESD保護(hù)

·IEC61000-4-2 Leve14(±15kV)

集成上接電阻器

·2型可用2.2kΩ和4.7kΩ

串聯(lián)電阻器

當(dāng)采用高數(shù)據(jù)率時(shí),終端需要增加數(shù)據(jù)交換速度。ST1284為終端提供串聯(lián)電阻器(Rt)以匹配8條雙向數(shù)據(jù)線和選通線的阻抗。選擇33Ω值以符合IEEE1284(IEEE1284標(biāo)定45Ω到55Ω電纜阻抗,而驅(qū)動(dòng)器IC的正常阻抗大約為15Ω)標(biāo)準(zhǔn)。

上拉電阻器

為了保持與原來端口(采用集電極開路驅(qū)動(dòng)器)的兼容性,ST1284具有上接電阻傳送邏輯高電平。經(jīng)多年實(shí)用建立的公共標(biāo)準(zhǔn)電阻器值為2.2kΩ或4.7kΩ。

EMI電容器

高頻信號(hào)通過I/O端口線耦合進(jìn)入系統(tǒng)(因?yàn)橛?jì)算機(jī)系統(tǒng)I/O與電纜連接),這可做為天線產(chǎn)生輻射,導(dǎo)致對(duì)其他電子器件的干擾。ST1284器件的每條線都有EMI濾波電容器對(duì)EMI濾波。為了通過EMI驗(yàn)證測(cè)試,EMI電容器可用180pF或22pF。

表1列出ST1284的C、Rt和Rp數(shù)值。

特點(diǎn)

ST1284是封裝在QSOP28中的集成無源和分立(IPD)器件(見圖1),是用ST公司的專利ASD技術(shù)開發(fā)的。它可替代43個(gè)元件,使用戶降低了成本和板大小。高集成與分立元件方法相比使寄生電感最小并且有更有效的衰減。ST1284是硅基解決方案,它具有與微處理器產(chǎn)品相同的可靠性。焊接減少,提高了可靠性能。圖2和圖3分別示出用分立元件和ST1284實(shí)現(xiàn)EMC依從并行端口電路。

表1 C,Rt他Rp值

計(jì)算機(jī)和外設(shè)(如打印機(jī))之間的一種邊接是并行端口。為了提供雙向和快速通信,并行端口接口已有增強(qiáng)型。新接口在IEEE1284中已詳述,稱之為增強(qiáng)并行端口(EPP)或擴(kuò)展性能端口(ECP)。新外設(shè)如遠(yuǎn)程存儲(chǔ)驅(qū)動(dòng)、掃描儀、MP3播放機(jī)和機(jī)頂盒,現(xiàn)已連接到并行端口。

EMI標(biāo)準(zhǔn)

這種增強(qiáng)接口可處理數(shù)據(jù)交換高達(dá)2Mbytes/s。此頻率需求新設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)以滿足電磁和射頻干擾(EMI&RFI)要求(如FCC Part 15和CISPR 22版)。除EMI和RFI測(cè)試外,另一個(gè)在歐洲出現(xiàn)的標(biāo)準(zhǔn),要求計(jì)算裝置進(jìn)行靜電釋放(ESD)靈敏度測(cè)試。

ST1284特性

ST1284是符合IEEE1284標(biāo)準(zhǔn)的高集成終端網(wǎng)絡(luò)器件。它濾波PC內(nèi)所產(chǎn)生的高頻輻射,使可接受電平有較小的干擾。它的ESD保護(hù)高達(dá)±15kV,符合IEC61000-4-2所確定的最高電平。ST1284特性如下:

EMI濾波

·FCCPart 15Class A&B

·CISPR 22版Class A&B

阻抗終端

·至匹配電纜阻抗33Ω

ESD保護(hù)

·IEC61000-4-2 Leve14(±15kV)

集成上接電阻器

·2型可用2.2kΩ和4.7kΩ

串聯(lián)電阻器

當(dāng)采用高數(shù)據(jù)率時(shí),終端需要增加數(shù)據(jù)交換速度。ST1284為終端提供串聯(lián)電阻器(Rt)以匹配8條雙向數(shù)據(jù)線和選通線的阻抗。選擇33Ω值以符合IEEE1284(IEEE1284標(biāo)定45Ω到55Ω電纜阻抗,而驅(qū)動(dòng)器IC的正常阻抗大約為15Ω)標(biāo)準(zhǔn)。

上拉電阻器

為了保持與原來端口(采用集電極開路驅(qū)動(dòng)器)的兼容性,ST1284具有上接電阻傳送邏輯高電平。經(jīng)多年實(shí)用建立的公共標(biāo)準(zhǔn)電阻器值為2.2kΩ或4.7kΩ。

EMI電容器

高頻信號(hào)通過I/O端口線耦合進(jìn)入系統(tǒng)(因?yàn)橛?jì)算機(jī)系統(tǒng)I/O與電纜連接),這可做為天線產(chǎn)生輻射,導(dǎo)致對(duì)其他電子器件的干擾。ST1284器件的每條線都有EMI濾波電容器對(duì)EMI濾波。為了通過EMI驗(yàn)證測(cè)試,EMI電容器可用180pF或22pF。

表1列出ST1284的C、Rt和Rp數(shù)值。

特點(diǎn)

ST1284是封裝在QSOP28中的集成無源和分立(IPD)器件(見圖1),是用ST公司的專利ASD技術(shù)開發(fā)的。它可替代43個(gè)元件,使用戶降低了成本和板大小。高集成與分立元件方法相比使寄生電感最小并且有更有效的衰減。ST1284是硅基解決方案,它具有與微處理器產(chǎn)品相同的可靠性。焊接減少,提高了可靠性能。圖2和圖3分別示出用分立元件和ST1284實(shí)現(xiàn)EMC依從并行端口電路。

表1 C,Rt他Rp值

型  號(hào) Rt Rp C 封  裝
ST1284-01A8 33 4.7k 180pF QSOP28
相關(guān)IC型號(hào)
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