奧地利微電子發(fā)布兩款微功耗A/D轉(zhuǎn)換器AS1528/29系列
發(fā)布時(shí)間:2008/5/28 0:00:00 訪問次數(shù):408
與同系列的12位as1524/25的微功耗一樣,10位as1528/29在150ksps最高采樣速度下功耗也低于350μa(3v)。先進(jìn)的自動關(guān)斷功能可使器件在轉(zhuǎn)換之間進(jìn)入休眠模式,從而顯著降低較低在采樣速度下的功耗。在采樣速度降至100ksps時(shí),功耗可降至245μa(3v) 。如果在幾乎靜止的1ksps采樣速度時(shí),功耗僅為2.5μa,而關(guān)斷期間僅為200na。
除了滿足低功耗需求之外,as1528/29還能為inl和dnl提供±0.275lsb(最大)的突出的直流精度,以及±0.25lsb的超低偏移值和增益誤差,還有如-79.5db thd的卓越動態(tài)性能指標(biāo)。spi、qspi和microwire兼容接口有助于對as1528/29進(jìn)行高速數(shù)據(jù)存取,并最大限度地減小電路板空間。兩款器件均可產(chǎn)生內(nèi)部時(shí)鐘,同樣也支持外部時(shí)鐘以增加靈活性。兩個(gè)集成電路可采用2.7至5.25v的單電源運(yùn)行。
as1528/29系列采用8引腳3×3mm tdfn封裝,工作環(huán)境溫度為-40℃至+85℃。
與同系列的12位as1524/25的微功耗一樣,10位as1528/29在150ksps最高采樣速度下功耗也低于350μa(3v)。先進(jìn)的自動關(guān)斷功能可使器件在轉(zhuǎn)換之間進(jìn)入休眠模式,從而顯著降低較低在采樣速度下的功耗。在采樣速度降至100ksps時(shí),功耗可降至245μa(3v) 。如果在幾乎靜止的1ksps采樣速度時(shí),功耗僅為2.5μa,而關(guān)斷期間僅為200na。
除了滿足低功耗需求之外,as1528/29還能為inl和dnl提供±0.275lsb(最大)的突出的直流精度,以及±0.25lsb的超低偏移值和增益誤差,還有如-79.5db thd的卓越動態(tài)性能指標(biāo)。spi、qspi和microwire兼容接口有助于對as1528/29進(jìn)行高速數(shù)據(jù)存取,并最大限度地減小電路板空間。兩款器件均可產(chǎn)生內(nèi)部時(shí)鐘,同樣也支持外部時(shí)鐘以增加靈活性。兩個(gè)集成電路可采用2.7至5.25v的單電源運(yùn)行。
as1528/29系列采用8引腳3×3mm tdfn封裝,工作環(huán)境溫度為-40℃至+85℃。
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